Toshiba dope les performances de ses Mosfet canal N 150 V de dernière génération

Résistance à l’état passant et charge de grille réduites de manière significative, performances de récupération inverse nettement améliorées, caractéristiques EMI optimisées : tel est le menu des derniers Mosfet canal N 150 V du Japonais.

Sous la référence TPH9R00CQ5, Toshiba Electronics inaugure le premier Mosfet de puissance canal N exploitant la dernière génération de sa technologie U-MOS X-H Trench. Sous cette appellation se cache un procédé qui permet au fabricant japonais de booster les performances de ses Mosfet 150 V dédiés aux alimentations à découpage hautes performances telles que celles utilisées dans les stations de base, ainsi que dans diverses applications industrielles.

Tout d’abord, le TPH9R00CQ5 affiche une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) maximale de seulement 9,0 mΩ (soit une réduction de plus de 40% par rapport au produit équivalent de génération précédente, le TPH1500CNH1), couplée à une faible charge de grille (Qg) de 44 nC, contribuant de manière significative à la réduction des pertes et à l’augmentation de la densité de puissance dans les solutions d’alimentation hautes performances.

Qui plus est, Toshiba a également soigné les performances de récupération inverse de ces Mosfet, ce qui constitue un point crucial dans les solutions d’alimentation à hautes performances qui utilisent le redressement synchrone. Toujours grâce à la technologie U-MOS X-H Trench, le nouveau venu dispose ainsi d’une charge de récupération inverse (Qrr) abaissée d’environ 74% par rapport au précédent modèle, à seulement 34 nC en valeur typique, et d’un temps de récupération inverse diminué de plus de 40%, à 40 ns, afin de réduire significativement les pertes de redressement synchrone

Logé dans un boîtier SOP de 4,9 x 6,1 x 1,0 mm et gérant un courant jusqu’à 64 A, le TPH9R00CQ5 est également censé atténuer les pics de tension créés lors de la commutation, afin d’améliorer les caractéristiques EMI des conceptions et de réduire le besoin de filtrage. A cela s’ajoute une température de jonction maximale de 175°C offrant aux concepteurs une marge thermique accrue en comparaison des modèles précédents.

Pour aider les concepteurs, justement, Toshiba a développé un modèle G0 SPICE pour la vérification rapide de la fonction du circuit ainsi que des modèles G2 SPICE pour une reproduction précise des caractéristiques transitoires.

Le Japonais propose également des conceptions de référence utilisant le TPH9R00CQ5. Il s’agit notamment d’un convertisseur DC-DC buck-boost non isolé de 1 kW, d’un onduleur multiniveau triphasé et d’un convertisseur DC-DC à pont complet de 1 kW.