Le Japonais Torex concrétise ses ambitions dans le domaine du SiC
Le fondeur Phenitec Semiconductor, filiale du groupe japonais Torex, a développé une diode Schottky 850 V / 10 A en carbure de silicium qui sera bientôt rejointe par d’autres modèles dans la gamme 650 V – 1200 V.
Torex Semiconductor vient de s’ajouter à la liste des fournisseurs de composants de puissance à base de carbure de silicium avec le début de l’échantillonnage de ses premières diodes Schottky 850 V / 10 A en SiC. Référencées XBSC11A108CS, ces diodes sont hébergées dans un boîtier de type TO-220AC et ciblent les systèmes d’alimentation d’appareils tels que les climatiseurs ou les chargeurs de véhicules électriques.
© Torex Semiconductor
Développées par le fondeur Phenitec Semiconductor, filiale de Torex, les diodes Schottky XBSC11A108CS, dont la production de volume est prévue d’ici la fin de l’année, seront rejointes en cours d’années par d’autres produits dans la gamme de tension allant de 650 V à 1200 V.
Torex avait déjà montré ses ambitions dans le domaine du SiC en fin d’année dernière avec la signature d’un accord avec la société coréenne Yes Powertechnix, spécialiste du carbure de silicium, pour le développement commun et la commercialisation de solutions en SiC.
Filiale de SK Inc., la branche d’investissement stratégique de SK Group, Yes Powertechnix fournit divers produits de puissance en SiC (diodes, Mosfet, modules), ainsi qu’un service de fonderie dédié. Les deux lignes de production du Coréen produisent des tranches de SiC de 150 mm à hauteur de plusieurs dizaines de milliers d’unités par an.
