Toshiba abaisse la résistance à l’état passant de ses Mosfet silicium 600 V
Les derniers Mosfet canal N 650 V du Japonais voient leur résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) réduite de 13 % et leur facteur de mérite amélioré de 52%, afin d’améliorer le rendement des alimentations à découpage.
Alors que les composants en carbure de silicium (SiC) sont sous les feux de la rampe dans les applications de puissance, les solutions à base de silicium continuent plus discrètement à améliorer leurs performances. En témoigne le dernier Mosfet canal N 600 V dont Toshiba Electronics vient de lancer la production.
Premier composant d’une nouvelle série baptisée DTMOSVI 600V, le TK055U60Z1 est un Mosfet à super-jonction doté d’une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 55 mΩ, soit une réduction de 13 % par rapport aux composants de la série DTMOSIV-H de la société.
© Toshiba Electronics
Mieux, le produit Rds(on) x Qgd, qui constitue le facteur de mérite pour les performances des Mosfet, est amélioré d’environ 52 % par rapport aux modèles précédents. Par ailleurs, la charge de grille totale typique (Qg), la charge grille à drain (Qgd) et la capacité d’entrée (Ciss) sont respectivement de 65 nC, 15 nC et 3680 pF.
Cet ensemble de caractéristiques permet d’accroître les vitesses de commutation et de réduire les pertes de puissance dans des équipements tels que les alimentations à découpage à haut rendement utilisées dans les centres de données, les conditionneurs d’alimentation pour les générateurs photovoltaïques et les systèmes d’alimentation sans interruption.
Supportant une température maximale de 150°C, ce composant utilise un boîtier TOLL – qui comporte une connexion Kelvin pour le terminal source du signal – dont la mise en forme des broches garantit des connexions de soudure de qualité, augmente la fiabilité du montage et facilite l’inspection visuelle.
