Semiconducteurs de puissance : Toshiba inaugure sa seconde usine de tranches de 300 mm
Localisée sur son site de Kaga, au Japon, qui abrite déjà une usine de ce type fonctionnelle, cette unité de production permettra au Japonais de multiplier par 2,5 sa capacité de production en matière de semiconducteurs de puissance.
Quelques jours seulement après l’annonce d’un plan d’économie qui va notamment se traduire par la suppression de 4000 postes au Japon, Toshiba a célébré hier l’achèvement de la construction de sa nouvelle usine de tranches de 300 nm pour semiconducteurs de puissance sur son site de Kaga, dans la préfecture d’Ishikawa, au Japon.
© Toshiba
L’achèvement des travaux constitue une étape majeure pour la phase 1 du programme d’investissement pluriannuel que Toshiba met en œuvre pour recentrer ses activités sur l’électronique de puissance dédiée aux applications automobiles et industrielles et tenter de retrouver son lustre d’antan.
Toshiba va maintenant procéder à l’installation des équipements, en vue de démarrer la production de masse au second semestre de l’exercice 2024. Une fois que la phase 1 aura atteint sa pleine échelle, la capacité de production de Toshiba en matière de semiconducteurs de puissance, principalement des Mosfet et des IGBT, sera équivalente à 2,5 fois celle dont il disposait lors de son exercice fiscal 2021, lorsque le plan d’investissement a été élaboré.
Le nouveau bâtiment dispose d’une structure d’isolation sismique renforcée (rappelons que le site de Kaga a subi un tremblement de terre le 1er janvier dernier, sans dommage sur les installations) et de sources d’énergie redondantes. L’énergie provenant de sources renouvelables et des panneaux solaires sur le toit du bâtiment permettra à l’installation de répondre à 100 % de ses besoins énergétiques, selon Toshiba.
Cette nouvelle unité de production à partir de tranches de 300 mm viendra compléter celle mise en service au second semestre de l’exercice 2022 dans les installations existantes du site de Kaga et qui produit également des tranches de 300 mm pour les semiconducteurs de puissance. Rappelons que Toshiba investit également dans le développement des semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC), y compris dans le cadre de partenariats, à l’image de l’accord récemment signé avec son compatriote Rohm.
