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Rohm et Toshiba s’unissent en électronique de puissance

Rohm et Toshiba s’unissent en électronique de puissance

Soutenus par leur gouvernement, les deux Japonais vont investir l’équivalent de 2,5 milliards d’euros pour accroître leur capacité de production en composants de puissance silicium et SiC, essentiellement pour l’automobile et l’industriel.

Afin de soutenir l’objectif du gouvernement japonais de mener une stratégie d’approvisionnement sûr et stable en semiconducteurs, Rohm et Toshiba ont décidé d’unir leurs forces pour investir dans leurs capacités de production respectives en composants de puissance à base de silicium et de carbure de silicium (SiC), avec la possibilité d’utiliser mutuellement ces nouvelles installations en fonction des besoins des deux parties.

L’objectif est de soutenir la croissance de la demande de composants électroniques de puissance dans les secteurs automobile et industriel, liée à l’expansion rapide de l’électrification des véhicules et à l’automatisation et la numérisation de l’industrie.

© Toshiba

Au total, les deux partenaires devraient investir 388,3 milliards de yens (l’équivalent d’environ 2,5 milliards d’euros) mais c’est Rohm qui mettra le plus au pot avec un investissement à hauteur de 289,2 milliards de yens (1,85 Md€), contre 99,1 milliards de yens (650 M€) pour Toshiba. Le gouvernement japonais pourrait contribuer à l’investissement total à hauteur de 129,4 milliards de yens, soit un tiers du montant global.

Rohm aura en charge l’extension de son usine Lapis Semiconductor n°2 à Miyazaki pour la production de wafers et composants SiC, tandis que Toshiba va doper la capacité de production de son usine de Kaga pour la partie composants de puissance en silicium.

Rohm, qui revendique d’être le premier à avoir produit en volume des Mosfet SiC, en est aujourd’hui à sa 4è génération de ce type de composants. De son côté, Toshiba Electronic Devices & Storage fournit depuis des décennies des dispositifs de puissance en silicium et a débuté la production d’une ligne de tranches de 300 mm l’année dernière, tout en développant des dispositifs de puissance en SiC.

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