ST va construire à Catane une usine entièrement intégrée à 5 Md€ pour le SiC
Bénéficiant d’une aide de 2 Md€ de l’État italien dans le cadre de l’European Chips Act, cette future usine, qui devrait être opérationnelle dès 2026, intégrera sur un même site la totalité des étapes du flux de production, de la R&D à la fabrication et du substrat jusqu’au module de puissance.
STMicroelectronics annonce ce jour qu’il va construire sur son site de Catane, en Sicile, la première usine au monde entièrement intégrée – de la R&D à la fabrication et du substrat au module de puissance – et dédiée à la production en grands volumes de tranches de 200 mm en carbure de silicium (SiC) pour composants et modules de puissance, ainsi qu’aux activités de test et de conditionnement. L’investissement total prévu est d’environ 5 milliards d’euros, avec un soutien de l’État italien d’environ 2 Md€ dans le cadre de l’European Chips Act.
Ensemble, l’unité de fabrication de substrats SiC en cours de construction sur ce même site et cette nouvelle usine formeront le Silicon Carbide Campus de ST, concrétisant la vision du groupe d’une installation de production entièrement intégrée verticalement et dédiée à la production de masse de carbure de silicium sur un seul site.
© STMicroelectronics
« Les capacités entièrement intégrées mises à disposition par le Silicon Carbide Campus de Catane contribueront de manière significative au leadership technologique de ST dans le domaine du carbure de silicium pour les clients des secteurs automobile et industriel au cours des prochaines décennies, assure Jean-Marc Chéry, président du Directoire et directeur général de STMicroelectronics. L’envergure et les synergies apportées par ce projet nous permettront d’innover davantage avec une capacité de production en grands volumes et ce, au bénéfice de nos clients européens et internationaux qui évoluent vers l’électrification et recherchent des solutions à haute efficacité énergétique afin d’atteindre leurs objectifs de décarbonation. »
Le Silicon Carbide Campus servira de pôle central pour l’écosystème SiC mondial de ST et intégrera la totalité des étapes du flux de production, à savoir le développement de substrats SiC, les processus de croissance épitaxiale, la fabrication de tranches de 200 mm (front-end) et l’assemblage de modules (back-end), la R&D des procédés, la conception de produits, les laboratoires de R&D avancée pour les circuits intégrés, les modules et les systèmes de puissance, ainsi que des capacités complètes de conditionnement. Il s’agira, selon ST, de la première unité de cette nature en Europe pour la production de masse de tranches SiC en 200 mm, chaque étape du processus – substrat, épitaxie & front-end, et back-end – utilisant les technologies 200 mm pour des performances et des rendements améliorés.
Cette nouvelle unité devrait démarrer la production en 2026 et atteindre sa pleine capacité d’ici 2033, pour produire jusqu’à 15 000 tranches SiC par semaine à pleine capacité. Le groupe franco-italien assure par ailleurs que des pratiques durables seront intégrées dans la conception, le développement et l’exploitation du Silicon Carbide Campus pour une utilisation responsable des ressources, notamment l’eau et l’énergie.
Rappelons que ST fabrique actuellement ses produits SiC en grands volumes sur deux lignes de production de tranches de 150 mm à Catane et à Ang Mo Kio (Singapour). Le troisième pôle de production est une coentreprise avec Sanan Optoelectronics, avec une unité de fabrication en 200 mm en cours de construction à Chongqing (Chine), qui permettra à ST de servir le marché chinois. Les unités de production de tranches SiC de ST sont complétées par des activités d’assemblage et de test en grands volumes qualifiées pour l’automobile à Bouskoura (Maroc) et à Shenzhen (Chine). La R&D et l’industrialisation des substrats SiC de ST ont lieu à Norrköping (Suède) et à Catane où l’unité de fabrication de substrats SiC augmente la production et où sont basées la plupart des équipes de R&D et de conception des produits SiC de ST.
