Les commutateurs GaN de Power Integrations grimpent à 1700 V
Avec ce niveau de tension, les circuits de commutation InnoMux-2 1700 V à base de GaN du Californien commencent à marcher sur les platebandes des circuits en carbure de silicium.
Power Integrations, société californienne spécialisée dans les circuits intégrés haute tension pour la conversion d’énergie, étoffe sa gamme InnoMux-2 de circuits de commutation basés sur sa technologie PowiGaN à base de nitrure de gallium, avec un modèle capable de supporter des tensions nominales de 1700 V, contre 900 V et 1250 V pour ses prédécesseurs commercialisés en 2023.
Capable de fournir jusqu’à 60 W, le nouveau venu peut ainsi prendre facilement en charge une tension d’entrée nominale de 1000 Vdc dans une configuration flyback et atteindre un rendement de plus de 90%, appuyé par l’optimisation de la commutation à tension nulle (ZVS), dans les applications nécessitant une, deux ou trois tensions. Le circuit est en effet doté de trois sorties indépendantes et régulées avec une précision de ±1%, ce qui élimine les régulateurs aval et améliore encore le rendement du système d’environ 10%.
Selon son fabricant, ce circuit mono-étage est ainsi de taille à remplacer les solutions de puissance à base de carbure de silicium (SiC) dans les applications telles que les chargeurs automobiles, les onduleurs solaires, les compteurs triphasés et les alimentations industrielles.
© Power Integrations
« La tension nominale de 1700 V est, à notre connaissance, nettement supérieure à celle de tout autre transistor HEMT GaN disponible sur le marché, assure Ezgi Dogmus, responsable de l’activité semiconducteurs chez Yole Group. Le marché des composants de puissance à base GaN pourrait atteindre 2 milliards de dollars d’ici la fin de la décennie, en se développant dans divers domaines d’application grâce à des avantages de coût potentiellement intéressants par rapport au SiC. »
Le circuit InnoMux-2 1700 V est commercialisé à partir de 4,9 dollars l’unité, par commande de 10000 composants. Une conception de référence RDR-1053, qui décrit une alimentation de 60 W à double sortie 5 V et 24 V, peut par ailleurs être téléchargée gratuitement sur le site de Power Integrations.
Rappelons qu’au printemps dernier, Power Integrations a acquis les actifs de son compatriote Odyssey Semiconductor Technologies, un développeur de transistors GaN.
