Navitas développe du SiC 10 kV pour l’armée américaine
L’armée américaine a sélectionné Navitas Semiconductor pour le programme ALATTIS, consacré au développement d’IGBT en carbure de silicium (SiC) de 10 kV. Le projet vise à établir aux États-Unis un procédé de fabrication destiné aux applications critiques de défense et d’infrastructures.
L’Américain Navitas Semiconductor a été retenu à l’issue d’une mise en concurrence pour développer la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance SiC 10 kV dans le cadre du programme ALATTIS (Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT). Le projet est financé par l’Army Research Laboratory (ARL), rattaché au US Army Combat Capabilities Development Command (DEVCOM), avec le soutien du Joint Experimentation and Technology Accelerator (JETX).
ALATTIS ambitionne de développer et de valider un procédé de fabrication national pour des dispositifs SiC à ultra-haute tension, avec une approche itérative associant conception, fabrication et essais. Le programme cible notamment des IGBT SiC 10 kV et les diodes PiN associées, destinés à des systèmes critiques pour la défense et les infrastructures.
© Navitas Semiconductor
Ce choix s’appuie notamment sur l’expérience de Navitas dans le SiC à très haute tension et sur son dispositif industriel sur le sol américain. La gamme GeneSiC de l’entreprise couvre actuellement des tensions de 650 V à 6,5 kV et repose notamment sur une architecture Mosfet de type TAP (Trench-Assisted Planar). Navitas indique avoir développé dès 2012 des diodes PiN de 10 à 15 kV et commercialisé dès 2021 des Mosfet SiC 6,5 kV, après avoir présenté des thyristors SiC 6,5 kV en 2010.
« Ce programme permet à Navitas d’étendre son leadership au-delà des Mosfet SiC en développant des IGBT SiC 10 kV de nouvelle génération, basés sur notre architecture TAP unique et brevetée, et intégrant des technologies de diodes PiN avancées », déclare Siddarth Sundaresan, vice-président senior et directeur technique de Navitas.
Le projet s’inscrit dans le développement d’une chaîne d’approvisionnement américaine pour les semi-conducteurs de puissance avancés, avec l’objectif de disposer de composants adaptés aux applications de défense et aux infrastructures critiques.
