Cambridge GaN Devices renforce sa R&D avec un spécialiste de la puissance
La société britannique Cambridge GaN Devices (CGD) vient de nommer Robin Lyle au poste de vice-président chargé de la R&D. M.Lyle a travaillé pendant 30 ans dans les semiconducteurs de puissance.
Depuis sa création en 2016, Cambridge GaN Devices (CGD), une société fabless britannique issue de l’Université de Cambridge et spécialisée dans les circuits de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), tente de construire un écosystème autour de ses composants ICeGaN pour la conversion de puissance haute tension.
Et force est de constater que le Britannique se donne les moyens de ses ambitions, puisque, après avoir clôturé avec succès un tour de table de série C de 32 millions de dollars en février dernier, il vient de recruter un spécialiste des semiconducteurs de puissance en la personne de Robin Lyle (photo).
© Cambridge GaN Devices
Fort d’une expérience de 30 ans d’expérience dans le secteur des semiconducteurs analogiques et de puissance, notamment chez Dynex Semiconductor, fabricant de modules de puissance, Robin Lyle a été nommé vice-président de CGD chargé de la R&D.
Outre son expérience dans l’industrie, Robin Lyle entretient également des liens étroits avec le monde universitaire, notamment avec l’Université de Nottingham, où il siège au conseil consultatif industriel pour l’ingénierie électronique, contribuant ainsi à l’élaboration des programmes et travaillant avec les étudiants de premier cycle.
« CGD est une entreprise fondée sur l’innovation et cette nomination renforce nos compétences dans les systèmes haute puissance, où le GaN est promis à un brillant avenir », souligne Giorgia Longobardi, cofondatrice et CEO de CGD.
