Onsemi et GlobalFoundries unissent leurs forces en GaN
L’accord signé hier entre les deux parties vise le développement et la production de dispositifs de puissance avancés grâce au procédé eMode GaN-on-silicon en tranches de 200 mm de GF. Ce partenariat débutera avec des produits GaN fonctionnant à 650 V.
GlobalFoundries (GF) vient de parapher un nouvel accord portant sur le nitrure de gallium (GaN). Après avoir récemment signé un accord de licence technologique avec TSMC, portant sur l’exploitation de la technologie GaN 650 V et 80 V du fondeur taïwanais, et conclu un partenariat avec son compatriote Navitas Semiconductor pour accélérer le développement et la production de puces GaN aux États-Unis, le fondeur américain récidive avec un nouvel accord avec Onsemi, un autre de ses compatriotes.
L’accord signé hier entre les deux parties vise le développement et la production de dispositifs de puissance avancés grâce au procédé eMode GaN-on-silicon en tranches de 200 mm de GF. Ce partenariat débutera avec des produits GaN fonctionnant à 650 V, afin de cibler principalement les centres de données d’IA, les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les systèmes industriels, mais aussi l’aérospatiale, la défense et la sécurité.
© GlobalFoundries
« Cette collaboration associe l’expertise d’onsemi en matière de systèmes et de produits à la plateforme avancée GaN sur silicium de 200 mm de GlobalFoundries afin de proposer de nouveaux dispositifs de puissance 650 V destinés aux marchés à forte croissance, explique Dinesh Ramanathan, vice-président senior de la stratégie chez onsemi. Associés à nos contrôleurs et pilotes en silicium, ces produits GaN permettront à nos clients d’innover et de concevoir des systèmes de puissance plus compacts et plus efficaces dans de nombreuses applications et nous sommes en bonne voie pour commencer à fournir des échantillons à nos clients au cours du premier semestre 2026 et pour passer rapidement à une production de volume. »
Onsemi associera donc ses circuits intégrés de pointe (drivers, contrôleurs et boîtiers à dissipation thermique améliorée) à la plateforme technologique GaN 650 V de GF afin de proposer des dispositifs GaN optimisés, offrant une densité de puissance et un rendement élevés dans les alimentations et les convertisseurs DC-DC pour les centres de données d’IA, les chargeurs embarqués et les convertisseurs DC-DC pour véhicules électriques, les micro-onduleurs solaires et les systèmes de stockage d’énergie, ainsi que les variateurs de vitesse et les convertisseurs DC-DC destinés aux applications industrielles, aérospatiales, de défense et de sécurité.
L’occasion pour Onsemi d’enrichir son portefeuille de semiconducteurs de puissance, qui couvre désormais non seulement l’ensemble des technologies GaN – du GaN latéral basse, moyenne et haute tension au GaN vertical à très haute tension – mais également les technologies silicium et carbure de silicium (SiC).
GF et Onsemi en profitent pour rappeler les principaux avantages du GaN, à commencer par des fréquences de commutation élevées qui permettent aux concepteurs de réduire le nombre de composants, la taille du système et potentiellement son coût, tout en améliorant l’efficacité et les performances thermiques.
Qui plus est, les capacités bidirectionnelles du GaN permettent des topologies entièrement nouvelles qui peuvent remplacer jusqu’à quatre transistors unidirectionnels traditionnels, simplifiant ainsi les conceptions et réduisant les coûts.
Enfin, l’intégration de transistors FET GaN avec des circuits de commande, des contrôleurs, une isolation et une protection dans un seul boîtier permet des cycles de conception plus rapides et une réduction des interférences électromagnétiques.
