Cambridge GaN Devices signe un accord de distribution mondial avec DigiKey
Cet accord marque une étape importante pour la jeune société britannique qui développe son activité et tente de construire un écosystème GaN autour de ses composants ICeGaN pour la conversion de puissance haute tension.
Cambridge GaN Devices (CGD), une jeune société fabless britannique spécialisée dans les circuits de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), a signé en fin de semaine dernière un accord de distribution avec le géant américain DigiKey.
Selon les termes de cet accord à l’échelle mondiale, DigiKey détiendra des stocks substantiels de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de la gamme ICeGaN développée par CGD.
« Cet accord avec DigiKey est une étape très importante pour CGD alors que nous développons notre activité et construisons un écosystème GaN qui aidera les ingénieurs à explorer et à utiliser les avantages de nos produits ICeGaN pour la conversion de puissance haute tension », se réjouit Andrea Bricconi, directeur commercial de Cambridge GaN Devices.
© Cambridge GaN Devices
Récemment, CGD a lancé la série H2 de transistors HEMT 650 V (photo), toujours issue de sa gamme IceGaN. Ces composants se distinguent notamment par une charge de grille réduite d’un facteur dix par rapport aux solutions en silicium, avec à la clé une réduction importante des pertes de commutation et la possibilité de réaliser des systèmes plus compacts et légers. Ces composants sont également présentés par CGD comme faciles à intégrer car ils peuvent être commandés par des pilotes de grille industriels disponibles dans le commerce.
La société propose d’ailleurs, depuis quelques semaines, des cartes d’interface qui permettent aux utilisateurs d’essayer facilement ses composants ICeGAN dans les conceptions existantes, en lieu et place des composants GaN de la concurrence, et cela sans modification du circuit imprimé.
Les HEMT de la série H2 sont également censés répondre aux problèmes de fiabilité grâce à une robustesse améliorée en cas de surtension, à un seuil d’immunité au bruit plus élevé, à une suppression de la dérive dans le temps et à une protection contre les décharges électrostatiques.
