Circuits de puissance RF : STMicroelectronics prend une licence de technologie LDMOS chinoise

STMicroelectronics annonce la signature d’un accord portant sur la technologie de puissance RF LDMOS d’Innogration Technologies, société chinoise fabless spécialisée dans la conception et la fabrication de composants, modules et sous-ensembles de puissance RF. Les modalités de cet accord ne sont pas divulguées. Cet accord étend le marché des composants de puissance RF accessible à ST.

Associant un canal de conduction de longueur réduite à une tension de claquage élevée, les composants LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) répondent aux exigences d’applications telles que les amplificateurs de puissance RF où ils peuvent être utilisés dans les stations de base pour systèmes de communications sans fil, ainsi que dans les amplificateurs de puissance intégrés à des systèmes industriels et commerciaux. L’accord avec Innogration élargit la gamme d’applications que ST peut adresser avec la technologie LDMOS.

Cette technologie mature et éprouvée convient à un large éventail d’applications telles que les infrastructures sans fil ; les applications industrielles, scientifiques et médicales ; l’avionique et les radars ; ainsi que les radios non-cellulaires.