Microchip Technology annonce son portefeuille étendu de modules d’alimentation SiC plus compacts, plus légers et avec un meilleur rendement. Parallèlement à son portefeuille de microcontrôleurs et de produits analogiques, Microchip répond ainsi aux besoins en systèmes de commande haute puissance, entraînements et étages de puissance, offrant aux clients des solutions pour l’ensemble de leurs systèmes.

La demande en composants SiC (carbure de silicium) continue à croître rapidement, car ils maximisent l’efficacité et réduisent les dimensions et le poids des systèmes qu’ils intègrent et permettent aux ingénieurs de créer des solutions d’alimentation innovantes. Les applications bénéficiant de la technologie SiC vont des véhicules électriques et leurs bornes de chargement, aux réseaux de distribution d’électricité intelligents, jusqu’aux systèmes d’alimentation destinés à l’industrie et à l’aéronautique.

La famille SiC de Microchip comprend des modules d’alimentation basés sur une diode Schottky (SDB, Schottky Barrier Diode), déclinés en 700, 1200 et 1700 V. Cette famille de modules d’alimentation comprend plusieurs topologies, y compris double diode, en pont complet, à branche de phase, à cathode commune double et en ponts triphasés, en plus d’offrir plusieurs options de courant et de boîtier. L’ajout des modules SiC à diode Schottky simplifie les systèmes en intégrant plusieurs puces à diode SiC avec la possibilité de mélanger et associer les matériaux utilisés pour le substrat et la plaque support dans un seul et même module, ce qui maximise l’efficacité de la commutation, atténue l’élévation de la température et permet une empreinte système plus réduite.

Le portefeuille flexible de modules SiC SBD 700, 1200 et 1700 V utilise la dernière génération de puces SiC de Microchip, qui maximise la fiabilité et la robustesse des systèmes et permet une durée de vie longue et stable aux applications. Les performances des composants permettent aux développeurs de systèmes de réduire les besoins en circuits d’amortissement, et la stabilité de la diode du substrat permet aux systèmes d’utiliser la diode interne du substrat sans aucune dégradation sur le long terme.

Grâce aux tests effectués en interne par Microchip ou par des tierces parties, des indicateurs de fiabilité critique ont démontré que les composants de Microchip auraient des performances supérieures par rapport aux autres composants SiC, affirme le fabricant.

Le design de référence de correction de facteur de puissance (PFC) dit de Vienne triphasés à 30 kW, ainsi que les modules discrets SiC et les modules SP3/SP6LI constituent des outils de développement aidant les ingénieurs à réduire la durée des cycles de développement.

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