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Conversion d’énergie haute tension : le GaN commence à marcher sur les plates-bandes du SiC

Conversion d’énergie haute tension : le GaN commence à marcher sur les plates-bandes du SiC

Les derniers convertisseurs flyback en nitrure de gallium de la série InnoSwitch3 de Power Integrations supportent une tension record pour du GaN, soit 1250 V, et peuvent désormais cibler des débouchés qui étaient jusqu’ici chasse gardée des solutions en carbure de silicium.

Power Integrations poursuit sa quête de solutions de conversion d’énergie haute tension à base de nitrure de gallium (GaN) avec la commercialisation d’une nouvelle version de ses convertisseurs flyback InnoSwitch3 s’appuyant sur PowiGaN, la technologie GaN maison de l’Américain, capable de supporter des tensions jusqu’à 1250 V, soit la tension la plus élevée du marché pour des modèles à base de nitrure de gallium.

Avec des pertes de commutation inférieures à un tiers de celles observées pour leurs équivalents en silicium fonctionnant à la même tension, les nouveaux circuits de l’Américain, référencés InnoSwitch3-EP 1250 V, délivrent jusqu’à 85 W avec un rendement supérieur à 93%, ce qui évite le recours à des dissipateurs thermiques et permet de concevoir des équipements très compacts dans les applications industrielles.

© Power Integrations

« Après avoir été les premiers sur le marché à livrer en volume des circuits de conversion d’énergie à base de GaN en 2019, et après le lancement en mars dernier d’une version 900 V de nos modèles InnoSwitch3 à base de GaN, Power Integrations continue de faire progresser l’état de l’art dans le développement de la technologie GaN haute tension et son déploiement commercial, rendant obsolètes les meilleurs Mosfet silicium haute tension du marché, assure Radu Barsan, vice-président de la technologie chez Power Integrations. Notre développement constant de la technologie GaN à haute tension, illustré ici par nos nouveaux convertisseurs 1250 V, étend les avantages de l’efficacité du GaN à un panel encore plus large d’applications, dont beaucoup sont actuellement desservies par la technologie du carbure de silicium (SiC) ».

Les concepteurs utilisant les nouveaux circuits intégrés InnoSwitch3-EP 1250 V peuvent ainsi spécifier en toute confiance une tension de fonctionnement crête de 1000 V, ce qui permet un de-rating standard de 80 % par rapport au maximum absolu de 1250 V. De quoi offrir une marge de manœuvre importante pour les applications industrielles, particulièrement utile dans les réseaux électriques instables ou en cas de surtension ou de perturbations liées à l’alimentation.

Les circuits InnoSwitch3-EP 1250 V viennent ainsi compléter la famille InnoSwitch de circuits de commutation flyback de Power Integrations, qui disposent d’un redressement synchrone, d’un retour isolé de sécurité FluxLink et d’une gamme d’options de commutation intéressantes : jusqu’à 725 V pour les versions silicium, jusqu’à 1700 V pour les modèles en SiC, et en déclinaisons 750 V, 900 V et désormais 1250 V pour le GaN.

Logés en boîtier INSOP-24D, les InnoSwitch3-EP 1250 V sont d’ores et déjà disponibles en volume au prix de 3 dollars l’unité par quantités de 10 000 pièces, avec un délai de livraison de l’ordre de 16 semaines. Une conception de référence décrivant un convertisseur flyback 12 V/ 6 A est également disponible (référence DER-1025).

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