EPC enrichit sa gamme de transistors GaN qualifiés pour l’automobile

Qualifiés AEC-Q101, les transistors FET 80 V en GaN de l’Américain visent la conversion d’énergie 48 V-12 V, l’infodivertissement et les lidars dans l’automobile, qui peuvent ainsi bénéficier des avantages du nitrure de gallium.

EPC (Efficient Power Conversion) vient de compléter sa gamme de transistors à effet de champ (FET) en technologie GaN pour l’automobile avec des modèles 80 V particulièrement compacts. Membres de sa famille eGaN (nom donné par EPC à ses composants en nitrure de gallium), ces nouveaux transistors FET se déclinent en deux versions.

Logée dans un boîtier de seulement 2,5 x 1,5 mm, celle référencée EPC2204A affiche une résistance drain source à l’état passant (Rds(on)) de 6 mΩ et délivre un courant pulsé de 125 A. Baptisée EPC2218A et hébergée dans un boîtier de 3,5 x 1,95 mm, la seconde version se caractérise par une Rds(on) de 3,2 mΩ et fournit un courant pulsé de 231 A.

Qualifiés AEC-Q101, ces composants trouveront leur place dans les applications avec des exigences élevées en matière de densité de puissance, notamment les convertisseurs 48V-12V pour les voitures hybrides légères, les systèmes d’infodivertissement, l’éclairage et les lidars pour systèmes Adas.

Dans les convertisseurs 48 V-12 V (2 kW – 4 kW), ces transistors GaN peuvent fonctionner au-delà de 1 MHz – soit cinq fois la fréquence des Mosfet silicium – avec un courant 40% plus élevé et un encombrement réduit de moitié. Le tout avec un rendement qui atteint 98%, soit deux points de plus que pour les Mosfet.

Dans le cas de convertisseurs DC-DC de faible puissance, tels que ceux utilisés dans les systèmes d’infodivertissement, les composants d’EPC peuvent fonctionner jusqu’à 2 MHz.

Les lidars pour systèmes Adas peuvent, quant à eux, bénéficier de la vitesse de commutation rapide du GaN (transitions inférieures à la nanoseconde) et de sa capacité à générer des impulsions courtes (moins de 3 ns) de fort courant pour accroître leur portée et leur résolution.

Rappelons que la gamme de transistors FET en GaN d’EPC pour l’automobile comprend des modèles de 15 V à 100 V. Mais l’Américain promet la commercialisation d’autres modèles dans les mois à venir.