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La densité des mémoires résistives ReRam de Fujitsu fait un bond de 50%

La densité des mémoires résistives ReRam de Fujitsu fait un bond de 50%

La gamme des ReRam du Japonais est aujourd’hui complétée par un modèle 12 Mbit encapsulé dans un boîtier aussi compact que les versions 8 Mbit existantes.

Fujitsu Semiconductor Memory Solution considère résoudre les problèmes liés à l’utilisation des mémoires flash ou des Eeprom dans les appareils électroniques portés sur soi (wearables) avec la dernière-née de ses mémoires résistives ReRam.

Référencée MB85AS12MT, cette dernière est un modèle 12 Mbit encapsulé dans un boîtier très compact de type WL-CSP d’environ 2 x 3 mm. Cela correspond à une densité mémoire augmentée de 50% par rapport aux précédents modèles de Fujitsu, des modèles 8 Mbit logés dans un boîtier identique.

Dotée d’une interface SPI et fonctionnant sur une plage de tension de 1,6 V à 3,6 V, la mémoire non volatile du Japonais se distingue également par une consommation d’énergie particulièrement faible en lecture, avec seulement 0,15 mA. Une caractéristique permettant d’accroître sensiblement l’autonomie des appareils sur batterie effectuant de fréquentes opérations de lecture de données.

Ciblant les appareils tels que les prothèses auditives et les montres connectées, des échantillons de la mémoire MB85AS12MT sont actuellement disponibles.

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