GaN sur silicium : le Grenoblois Exagan lève 5,7 millions d’euros
Créée en 2014 à Grenoble avec le support du CEA-Leti et de Soitec pour industrialiser une technologie brevetée de nitrure de gallium (GaN) sur silicium destinée à la fabrication de semiconducteurs de puissance, la start-up Exagan vient de lever 5,7 millions d’euros, à l’occasion de son premier tour de table. Cet apport financer lui servira à la production de composants de commutation de puissance haute vitesse sur tranches de 200 mm de diamètre.
Technocom2, géré par Innovacom, CM-CIC Innovation, Irdinov, CEA Investissement et Soitec ont participé à ce tour de table.
Cette levée de fonds fait suite à l’accord signé le mois dernier par Exagan avec le fondeur allemand X-Fab Silicon Foundries pour passer à la production de volume. Des prototypes de commutateurs de puissance haute vitesse réalisés en GaN sur silicium ont ainsi été produits sur tranches de 200 mm de diamètre dans l’usine de Dresde du fondeur allemand. Les deux partenaires envisagent désormais de transformer cette étape de réalisation de prototypes pour passer à une production en volumes.
Jusqu’ici, la production de composants GaN était limitée à la fabrication sur tranches de 100 et 150 mm de diamètre, du fait de la difficulté à réalise des couches GaN sur des tranches de 200 mm. Or, le diamètre limité de ces tranches ne permettait pas aux circuits GaN d’être compétitifs en terme de prix par rapport à d’autres technologies de commutation de puissance. La technologie brevetée d’Exagan éviterait cet écueil.
La technologie d’Exagan, basée sur 10 années de développement au sein de la société Soitec et du CEA-Léti, vise à accélérer l’adoption à grande échelle de ces nouveaux composants en GaN. Les produits d’Exagan doivent permettre de fabriquer des convertisseurs électriques de nouvelle génération trois fois plus compacts, 25% moins chers, avec des efficacités atteignant jusqu’à 99%.
Les marchés visés sont ceux de la conversion électrique de haute performance (alimentations de puissance, systèmes photovoltaïques, véhicules hybrides/électriques moins émetteurs de CO2, aéronautique…) et de la communication sans fil (radars, réseau de téléphonie mobile).
Selon Yole Développement, le marché mondial des semiconducteurs GaN pourrait représenter 600 millions de dollars en 2020, un montant multiplié par 25 par rapport à aujourd’hui.
