
Infineon étend l’usage de ses composants GaN aux deux-roues électriques légers

Le fabricant allemand a signé un accord avec le Chinois Lingji pour développer des onduleurs à base de semiconducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN), destinés aux deux-roues électriques légers.
Aujourd’hui, le marché du véhicule électrique attise la convoitise de tous les fabricants de semiconducteurs de puissance, en particulier ceux exploitant les technologies semiconductrices à grand gap telle que le SiC, dont la tension de fonctionnement et la puissance délivrée sont compatibles avec un tel usage. Car du côté du GaN, qui reste moins performant que le SiC sur ces deux points, on lorgne plutôt du côté du marché des deux-roues électriques légers pour trouver un débouché prometteur.
C’est notamment le cas d’Infineon Technologies qui, s’il est déjà bien présent sur le créneau des semiconducteurs de puissance SiC dédiés aux véhicules électriques, fonde de grands espoirs sur le marché des deux-roues électriques légers, type trottinettes électriques, pour développer son activité GaN. C’est tout l’enjeu du partenariat technologique qu’il vient de signer avec Lingji Innovation Technology, une filiale du groupe chinois Ninebot. Les deux partenaires vont développer des systèmes d’onduleurs hautes performances pour deux-roues électriques légers, basés sur les transistors de puissance CoolGaN G5 de l’Allemand (c’est la dernière génération de la gamme CoolGaN).

© Infineon Technologies
Spécialisée dans les technologies de contrôle intelligent, Lingji exploitera la fréquence de commutation et le rendement élevés des semiconducteurs de puissance CoolGaN G5 d’Infineon, associés à ses algorithmes développés en interne, pour améliorer l’efficacité de la transmission, atteindre des niveaux de densité d’énergie inédits et se conformer aux exigences en matière d’autonomie et de taille des deux-roues électriques légers. Les solutions développées en commun devront également être compatibles avec une large plage de tension allant de 48V à 72V.
« Chez Infineon, nous façonnons l’avenir de la mobilité sous toutes ses formes. Grâce à nos solutions GaN de pointe, nous permettons à nos clients d’obtenir des conceptions plus compactes, un poids système réduit et une meilleure efficacité des onduleurs pour véhicules électriques légers. De plus, nous proposons une solution système complète qui permet à nos clients d’accélérer la mise sur le marché tout en minimisant les efforts de conception », indique Peter Schaefer, vice-président exécutif et directeur des ventes automobiles chez Infineon.
Les deux-roues électriques légers constituent une porte d’entrée abordable et accessible vers la mobilité électrique dans le monde entier. Et contrairement aux voitures particulières, ils ne dépendent généralement pas d’une infrastructure de recharge spécifique car leurs batteries amovibles permettent aux utilisateurs de recharger leur véhicule à domicile, sur des prises électriques standard. Selon Mckinsey, le marché des deux-roues électriques légers devrait atteindre 340 milliards de dollars d’ici 2030.