Infineon lance la production de tranches SiC de 200 mm de diamètre

L’Allemand débute ce trimestre la fabrication de tranches en carbure de silicium de 200 mm de diamètre dans son usine autrichienne de Villach. Pour les gros volumes, ces tranches SiC seront produites dans son usine de Kulim, en Malaisie.

Infineon Technologies poursuit son offensive sur le créneau des semi-conducteurs de puissance à grand gap. Après avoir réussi à fabriquer, en septembre dernier, les premières tranches GaN de 300 mm de diamètre sur une ligne pilote intégrée dans son usine autrichienne de Villach, l’Allemand annonce aujourd’hui qu’il va débuter, dès le premier trimestre 2025, la production de ses premières tranches SiC de 200 mm de diamètre.

© Infineon Technologies

Fabriquées, elles aussi, dans l’usine de Villach, ces tranches serviront les marchés des énergies renouvelables, des transports, des véhicules électriques et des centres de données dédiés à l’IA, friands de semi-conducteurs de puissance moins énergivores. Pour les gros volumes, les tranches SiC de 200 mm seront produites dans l’extension de l’usine d’Infineon basée à Kulim, en Malaisie, qui fabrique déjà des tranches SiC de 150 mm. La première phase de cette extension, qui porte le nom de Kulim 3 et a nécessité un investissement de deux milliards d’euros, a été inaugurée en août dernier et est sur le point de démarrer la production de volume de ces tranches.

« La mise en œuvre de notre production de tranches SiC de 200 de diamètre progresse comme prévu et nous sommes fiers des premiers produits livrés aux clients. En augmentant progressivement la production de tranches SiC de 200 mm à Villach et Kulim, nous améliorons la rentabilité de cette activité et continuons à garantir la qualité des semiconducteurs de puissance que nous fournissons à nos clients, tout en veillant à ce que nos capacités de production puissent répondre à la demande », souligne Rutger Wijburg, directeur des opérations d’Infineon.

Grâce à sa stratégie opérationnelle « Infineon One Virtual Fab » pour les technologies à grand gap, les sites de production d’Infineon à Villach et Kulim partagent des technologies et des processus qui permettent une montée en puissance rapide et des opérations fluides et efficaces dans la fabrication de tranches SiC et GaN. L’objectif d’Infineon étant d’être capable de fournir à ses clients l’ensemble du spectre des technologies de semi-conducteurs de puissance, avec des solutions à base de silicium, de carbure de silicium ou de nitrure de gallium.