Infineon lance les premiers transistors GaN 100 V qualifiés pour l’automobile
Les transistors automobiles CoolGaN 100 V G1 de l’Allemand constituent une première étape de l’intégration du nitrure de gallium dans l’automobile, avant l’extension prochaine de cette gamme vers des tensions plus élevées afin de cibler les chargeurs embarqués et les onduleurs pour véhicules électriques.
Alors qu’il met de plus en plus le nitrure de gallium (GaN) dans son jeu depuis le rachat en octobre 2023 du Canadien GaN Systems, Infineon ne cesse de développer des initiatives en la matière, en particulier en étendant le champ d’applications de ses composants de la gamme CoolGaN.
Quelques semaines seulement après avoir signé un accord avec le Chinois Lingji pour développer des onduleurs à base de semiconducteurs de puissance GaN, destinés aux deux-roues électriques légers, le fabricant allemand vient ainsi de lancer la production des premiers composants GaN certifiés pour les applications automobiles, conformément à la norme AEC-Q101. La gamme CoolGaN 100 V G1 d’Infineon comprend, pour le moment, des transistors GaN 100 V et des commutateurs bidirectionnels GaN, et cible dans un premier temps les systèmes avancés d’aide à la conduite (ADAS), les dispositifs d’infodivertissement et les applications automobiles 48 V. Mais l’Allemand ne compte pas s’arrêter en si bon chemin.
« Avec ce lancement, Infineon renforce sa position de leader mondial des solutions de semiconducteurs pour l’industrie automobile en proposant la technologie GaN au marché en pleine croissance des véhicules électriques et des véhicules définis par logiciel, assure Johannes Schoiswohl, responsable de la branche GaN chez Infineon. Nos solutions de transistors automobiles GaN 100 V constituent une première étape avant l’extension prochaine de notre gamme à des tensions plus élevées afin de cibler les chargeurs embarqués et les onduleurs pour véhicules électriques. »
© Infineon Technologies
Avec le passage des systèmes 12 V aux systèmes 48 V des véhicules définis par logiciel, les systèmes de conversion d’énergie à base de GaN permettent d’améliorer les performances, mais aussi d’intégrer des fonctionnalités avancées telles que la direction électrique et le contrôle du châssis en temps réel, selon Infineon.
Les transistors automobiles de la gamme CoolGaN 100 V G1 se déclinent pour l’heure en deux versions : l’une, référencée IGB110S10S1Q, offrant un courant de drain (Id) maximal de 23 A à 25°C, une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 9,4 mΩ en valeur typique et une charge de grille (Qg) de 3,4 nC ; l’autre, référencée IGC033S10S1Q, offrant un courant de drain (Id) maximal de 76 A à 25°C, une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) de 2,4 mΩ en valeur typique et une charge de grille (Qg) de 11 nC. La première est logée dans un boîtier PQFN de 3×3 mm, la seconde dans un boîtier PQFN de 3×5 mm.
