Infineon mise sur des tranches de silicium ultra-minces
En réduisant à seulement 20 µm l’épaisseur des tranches de silicium de 300 mm de diamètre, Infineon compte améliorer l’efficacité énergétique des semiconducteurs de puissance dédiés aux centres de données d’IA.
Après avoir sorti de ses usines les premières tranches de GaN en diamètre 300 mm et avoir mis en service la plus importante usine de tranches de SiC en diamètre 200 mm à Kulim (Malaisie), Infineon Technologies a dévoilé la prochaine étape importante de sa stratégie d’exploiter toutes les innovations technologiques en matière de semiconducteurs de puissance, en misant sur les tranches de silicium ultra-minces.
La fabricant allemand vient en effet de démontrer sa capacité à maîtriser la manipulation et le traitement des tranches ultra-minces en dévoilant une tranche de silicium de 300 mm de diamètre épaisse de seulement 20 micromètres, c’est-à-dire deux fois moins épaisse que les tranches actuelles dont l’épaisseur se situe entre 40 et 60 µm.
© Infineon Technologies
Au-delà de la prouesse technologique, ces tranches ultra-minces présentent l’avantage de diminuer de moitié la résistance du substrat, ce qui permet d’abaisser les pertes de puissance de plus de 15%, selon Infineon. Ce qui peut s’avérer crucial dans l’objectif d’accroître au maximum l’efficacité énergétique et la densité de puissance des solutions de conversion d’énergie dans les centres de données d’IA, ainsi que pour les applications grand public, informatiques et de commande moteur.
« L’innovation des tranches ultra-minces répond à notre ambition d’alimenter différentes configurations de serveurs d’IA, de la manière la plus efficace sur le plan énergétique, souligne Adam White, président de la division Power & Sensor Systems d’Infineon. La demande d’énergie pour les centres de données d’IA augmentant considérablement, l’efficacité énergétique devient de plus en plus importante. Et pour Infineon, il s’agit d’une opportunité commerciale à croissance rapide. Avec des taux de croissance à deux chiffres, nous prévoyons que notre activité liée à l’IA atteigne un milliard d’euros au cours des deux prochaines années. »
Par ailleurs, Infineon précise que le procédé de fabrication des tranches de 20 µm d’épaisseur s’appuie sur son expertise existante en matière de fabrication, ce qui garantit que « la nouvelle technologie peut être intégrée de manière transparente dans les lignes de production de silicium existantes sans entraîner de complexité de fabrication supplémentaire ».
Grâce à la montée en puissance de cette technologie, Infineon s’attend à ce que les tranches conventionnelles dédiées à la conversion d’énergie basse tension soient remplacées d’ici trois à quatre ans par des tranches ultra-minces.
