Infineon produit les premières tranches de GaN en diamètre 300 mm
En passant du 200 mm au 300 mm, l’Allemand compte réduire de manière significative le coût de production des composants de puissance à base de nitrure de gallium, pour s’approcher à terme de celui des puces silicium.
Changer la donne dans le domaine des semiconducteurs de puissance. Telle est l’ambition d’Infineon Technologies qui annonce ce jour avoir réussi à développer la première technologie de tranches de nitrure de gallium (GaN) en diamètre 300 mm au monde et à en maîtriser sa production dans un environnement de fabrication à haut volume existant et évolutif. Les premiers échantillons ont été fabriqués sur une ligne pilote intégrée dans l’usine autrichienne d’Infineon située à Villach et qui produit des tranches de silicium de 300 mm et des wafers de GaN de 200 mm.
Jochen Hanebeck, Pdg d’Infineon Technologies, exhibe fièrement une tranche de GaN de 300 mm sortie de l’usine pilote de Villach, en Autriche – © Infineon Technologies
« Cette percée technologique va changer la donne dans l’industrie et nous permettre d’exploiter tout le potentiel du nitrure de gallium, se félicite Jochen Hanebeck, Pdg d’Infineon Technologies. Près d’un an après l’acquisition de GaN Systems, nous démontrons une fois de plus que nous sommes déterminés à être un leader sur le marché du GaN en pleine croissance, et que nous maîtrisons désormais les trois matériaux adaptés aux composants de puissance : le silicium, le carbure de silicium et le nitrure de gallium. »
En passant du 200 mm au 300 mm, l’Allemand compte réduire de manière significative le coût de production des composants de puissance à base de nitrure de gallium, pour s’approcher à terme de celui des puces silicium, et ainsi dynamiser considérablement le marché des semiconducteurs GaN. Infineon précise par ailleurs que l’un des principaux avantages de la technologie GaN 300 mm est qu’elle peut utiliser les équipements déjà exploités pour la production de tranches de silicium de 300 mm, car le nitrure de gallium et le silicium exploitent des processus de fabrication similaires, ce qui permet une mise en œuvre accélérée de la capacité de production.
Les premières tranches de GaN en 300 mm seront dévoilées au public par Infineon lors du salon electronica qui se tiendra à Munich du 12 au 15 novembre 2024.
