Innoscience se lance dans les alimentations basées sur ses HEMT GaN-on-Si
Spécialiste du nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) sur tranches de 200 mm, Innoscience a décidé de lancer ses propres alimentations de 140 W à forte densité de puissance et haut rendement, intégrant ses transistors à haute mobilité électronique fabriqués selon ce procédé.
Après avoir investi les chargeurs et les smartphones, les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) fabriqués selon le procédé de fabrication économique GaN-on-Si (nitrure de gallium sur silicium) d’Innoscience ciblent aujourd’hui les alimentations. Mais pas n’importe quelles alimentions, les propres alimentations du groupe chinois.
Innoscience vient en effet de dévoiler des alimentations de 140 W à haute densité de puissance qui intègrent les HEMT GaN haute et basse tension de l’entreprise pour atteindre des rendements annoncés comme record, en l’occurrence supérieurs à 95% (pour une alimentation 230 Vac, 5 Vdc/28 A). C’est deux points de plus que le rendement des alimentations de ce type n’utilisant que partiellement des composants en GaN, selon Innoscience. Ne mesurant que 60 x 60 x 22 mm, l’alimentation en question offre ainsi une densité de puissance elle aussi record de 1,76 W par centimètre cube.
« En utilisant systématiquement des HEMT en GaN pour les fonctions haute et basse tension de cette alimentation, nous avons pris de parti de maximiser son rendement plutôt que de le compromettre avec des transistors silicium générant des pertes. Cela n’est possible que grâce au procédé de fabrication économique d’Innoscience, seule société en mesure de produire des dispositifs GaN-on-Si haute et basse tension en grande série à partir de wafers de 200 mm (8 pouces) », argumente Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe.
Capable de fonctionner à 300 kHz, cette alimentation de 140 W utilise une topologie CRM (Critical Conduction Mode, ou mode de conduction critique) Totem Pole PFC + AHB (Asymetrical Half-Bridge, ou demi-pont asymétrique). Elle intègre plusieurs HEMT d’Innoscience en technologie GaN-on-Si : le INN650DA140A, un HEMT GaN 650 V/140 mΩ en boîtier DFN de 5×6 mm pour les commutateurs S1 et S2, le INN650D240A, un HEMT 650 V/240 mΩ en boîtier DFN de 8×8 mm pour S3, et le INN650DA240A, un HEMT 650 V/240 mΩ en boîtier DFN de 5×6 mm pour S4. S5 et S6 font appel au INN150LA070A, un HEMT 150 V/7 mΩ en boîtier LGA de 2,2 x 3,2 mm.
