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Après avoir investi les chargeurs, les transistors HEMT en GaN entrent dans les smartphones

Après avoir investi les chargeurs, les transistors HEMT en GaN entrent dans les smartphones

Innoscience commercialise un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en GaN bidirectionnel 40 V à faible résistance à l’état passant, destiné aux appareils mobiles et aux chargeurs et adaptateurs dédiés.

Innoscience Technology introduit sur le marché ce qu’il présente comme le premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) destiné aux appareils mobiles de type smartphones et mini-ordinateurs portables. Référencé INN40W08, il s’agit d’un modèle bidirectionnel de 40 V développé grâce à InnoGaN, une technologie du groupe chinois qui se caractérise par une résistance drain-source à l’état passant Rds(on) très faible liée à l’utilisation d’une couche de renforcement de contrainte brevetée qui réduit la résistance surfacique de 66%.

« La technologie GaN a été adoptée par les fabricants de chargeurs de téléphones ces deux dernières années pour pouvoir fournir une puissance accrue, tout en réduisant la taille des dispositifs. Cependant, la percée significative réalisée par Innoscience permet désormais d’introduire aussi des HEMT GaN dans les téléphones portables, pour en améliorer l’efficacité énergétique et les performances », se réjouit Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe et directeur marketing pour les États-Unis et l’Europe du groupe.

Encapsulé en boîtier WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package) à 5 x 5 contacts ne mesurant que 2 x 2 mm, ce HEMT présente une résistance à l’état passant très faible (seulement 7,8 mΩ) et une charge de grille typique de 12,7 nC. Les applications comprennent la commutation de charges élevées côté haut, la protection contre les surtensions sur le port USB d’un téléphone portable, et différents types d’alimentations, notamment les chargeurs et adaptateurs. Selon Innoscience, sa technologie GaN permet de réaliser des systèmes de protection contre les surtensions à la fois efficaces et compacts, en remplaçant deux Mosfet en silicium par un seul transistor InnoGaN.

Augmentation de la capacité de production en cours d’année

Rappelons qu’Innoscience Technology est une entreprise chinoise fondée fin 2015 pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si). Le groupe possède deux usines de production de wafers, dont le plus grand site au monde dédié au GaN-on-Si en 8 pouces. La société dispose actuellement d’une capacité de 10000 wafers 8 pouces par mois, qui va passer à 14000 wafers 8 pouces par mois dans le courant de l’année, puis à 70000 wafers 8 pouces par mois d’ici 2025. Par ailleurs, le groupe a récemment ouvert de nouvelles installations de conception et de support commercial à Santa Clara, en Californie, et à Louvain, en Belgique. La société propose un large catalogue de transistors GaN-on-Si de 30 à 150 V et de 650 V.

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