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Circuits GaN sur silicium : le Chinois Innoscience lance ses activités en Europe

Circuits GaN sur silicium : le Chinois Innoscience lance ses activités en Europe
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Le Chinois Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance GaN-on-Si (nitrure de gallium sur silicium) à hautes performances et à faible coût, annonce le lancement officiel de ses activités internationales aux États-Unis et en Europe.

Basé à Suzhou, en Chine, Innoscience est désormais prêt à soutenir ses clients grâce à de nouvelles installations de conception et de support commercial, situées à Santa Clara, en Californie, et à Louvain, en Belgique.

Fondé en décembre 2015, Innoscience revendique le rang de plus grand fabricant de composants intégrés spécialisé dans la technologie GaN. La société dispose de deux unités de production de tranches de nitrure de gallium sur silicium, dont le plus grand site au monde dédié au GaN-on-Si sur tranches de 200 mm de diamètre. La société dispose actuellement d’une capacité de 10 000 tranches de 200 mm par mois, qui passera à 14 000 tranches par mois dans le courant de l’année, et à 70 000 tranches par mois d’ici 2025. La société propose un large portefeuille de dispositifs de 30 à 650 V et a déjà livré plus de 35 millions de composants pour des applications telles que des chargeurs/adaptateurs USB PD, des centres de données, des téléphones mobiles et des drivers de LED.

Innoscience produit des transistors à effet de champ (FET) GaN à l’état coupé au repos. En introduisant une couche de résistance aux contraintes, la société a réduit de manière significative la résistance drain-source à l’état passant (RDS(ON)) sans affecter les autres paramètres, comme la tension de seuil ou les fuites. L’épitaxie et le traitement des dispositifs ont été optimisés pour assurer une reproductibilité et un rendement élevés. Les composants ont passé des tests de qualité et de fiabilité allant au-delà des normes JEDEC.

« L’heure du GaN est venue, et Innoscience est prêt à fournir le monde entier. Nous saurons faire mieux que tous nos concurrents en termes de prix à dispositif équivalent, et notre énorme capacité de production garantit une sécurité d’approvisionnement à nos clients, ce qui est un point très important pour eux, compte tenu de la pénurie de puces qui sévit en ce moment. Nous sommes impatients de coopérer avec toutes les entreprises pour faire proliférer le GaN au sein de l’industrie électronique mondiale », souligne Denis Marcon, directeur général d’Innoscience Europe.

Innoscience est un fabricant de composants GaN sur silicium fondé en décembre 2015 avec comme principaux investisseurs : CMBI, ARM, SK et CATL. En novembre 2017, Innoscience a établi une première ligne de production en grande série de tranches 200 mm pour dispositifs GaN-on-Si à Zhuhai. Afin de répondre à la demande croissante du marché, Innoscience a inauguré une nouvelle installation à Suzhou en septembre 2020. Les plus de 1400 employés et plus de 300 experts en R&D d’Innoscience se consacrent à la fourniture de dispositifs de puissance GaN, qui peuvent être largement utilisés dans différentes applications, notamment l’informatique cloud, les véhicules électriques (VE) et l’automobile en général, les appareils portables, les téléphones, ainsi que les chargeurs et adaptateurs.

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