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Joe Biden s’empresse de sécuriser le Chips and Science Act avant l’arrivée de Trump

Joe Biden s’empresse de sécuriser le Chips and Science Act avant l’arrivée de Trump

L’administration américaine vient de finaliser coup-sur-coup les accords préliminaires signés plus tôt dans l’année avec TSMC et GlobalFoundries, de peur que le prochain locataire de la Maison blanche ne revienne sur le Chips and Science Act lancé il y a un peu plus de deux ans.

Animée par la crainte que Donald Trump, le président américain élu, ne détricote le Chips and Science Act une fois en poste, l’administration Biden-Harris s’empresse, dans le peu de temps qui lui reste, de finaliser les différents accords préliminaires signés ces deux dernières années avec plusieurs ténors de l’industrie des semiconducteurs dans le cadre de cette loi sur les puces qui vise à redéployer la production sur le sol américain.

Lors de la campagne présidentielle, Trump n’a pas manqué de critiquer le Chips and Science Act qu’il a notamment qualifié de « tellement mauvais ». La finalisation des différents accords permettrait ainsi de les pérenniser de manière à ce que la future administration ne puisse théoriquement pas les remettre en cause ou les annuler, malgré les réticences du prochain locataire de la Maison blanche.

Le Département américain du Commerce (DoC) vient ainsi de finaliser coup sur coup les accords de financement signés avec TSMC et GlobalFoundries (GF), en précisant que ce type d’annonces allait se multiplier d’ici le 20 janvier prochain.

© GlobalFoundries

Rappelons que l’accord finalisé en début de semaine avec TSMC lui octroie, comme prévu par l’accord préliminaire signé en avril dernier, un financement à hauteur de 6,6 milliards de dollars, assorti d’un prêt dont le montant pourra atteindre 5 Md$. En retour, le Taïwanais a annoncé qu’il allait construire une troisième usine sur son site de Phoenix, en Arizona, qui produira les semiconducteurs de pointe les plus avancés aux États-Unis. Cette troisième usine portera ainsi l’investissement total de TSMC en Arizona à plus de 65 milliards de dollars (contre 40 Md$ initialement prévus), faisant de ce site le plus important investissement étranger de l’histoire des États-Unis.

Ces trois usines devraient créer environ 6000 emplois directs, tandis que le Greater Phoenix Economic Council estime à plus de 20 000 le nombre d’emplois qui seront créés dans la construction et à des dizaines de milliers le nombre d’emplois indirects créés.

Pour GlobalFoudries, l’accord finalisé hier sécurise l’octroi d’une subvention allant jusqu’à 1,5 milliard de dollars, conformément à l’accord préliminaire signé en février dernier, à laquelle s’ajoute une aide de 550 M$ de l’État de New York, également confirmée, et d’une aide de l’État du Vermont. Ces financements soutiendront trois projets. Le premier concerne l’extension de l’usine existante de GF située à Malte, dans l’État de New York, en ajoutant des technologies critiques déjà en production dans les installations de GF à Singapour et en Allemagne, à destination de l’industrie automobile américaine.

Le second concerne la modernisation et la mise à niveau de l’usine existante de GF à Essex Junction, dans le Vermont, pour accroître sa capacité de production et créer l’une des principales installations au monde capable de fabriquer en grande quantité des semiconducteurs au nitrure de gallium (GaN).

Enfin, le troisième projet prévoit la construction d’une nouvelle usine de pointe sur le campus de GF à Malte, dans l’État de New York, pour répondre à un large éventail de marchés et d’applications (l’automobile, les centres de données, l’edge IA, l’aérospatiale et la défense).

Au total, ces projets représentent plus de 13 milliards de dollars d’investissement au cours des dix prochaines années sur les deux sites américains de GF et devraient créer près de 1000 emplois directs et plus de 9000 emplois dans le secteur de la construction. Les deux projets dans l’État de New York devraient notamment tripler la capacité existante du campus de GF à Malte au cours des dix prochaines années.

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