Kioxia Europe (anciennement Toshiba Memory Europe) a annoncé avoir développé sa 5e génération de mémoire Flash tridimensionnelle (3D) BiCS FLASH, dotée d’une architecture à 112 couches empilées verticalement.

Kioxia prévoit de commencer à livrer des échantillons de ce nouveau dispositif, d’une capacité de 512 Gbits (64 Go) en technologie TLC (Triple Layer Cell, ou cellule triple niveau) à 3 bits par cellule, pour certaines applications spécifiques, au cours du premier trimestre 2020.

Ce nouveau dispositif répond à la demande de capacité croissante d’un large éventail d’applications, notamment les appareils mobiles traditionnels, les disques SSD grand-public et d’entreprise, les applications émergentes permises par les nouveaux réseaux 5G, l’intelligence artificielle ou encore les véhicules autonomes.

Dans un proche avenir, Kioxia appliquera cette nouvelle technologie de fabrication de 5e génération à des mémoires de plus grande capacité, tels que des dispositifs TLC de 1 térabits (128 Go) et des dispositifs QLC (Quadruple Layer Cell, ou cellule quadruple niveau) de 1,33 térabits.

Le procédé innovant de Kioxia, qui fait appel à un empilage de 112 couches, est associé à une technologie de circuits et de fabrication avancée permettant d’augmenter la densité des cellules d’environ 20% par rapport au processus précédent à 96 couches. Cette nouvelle technologie réduit le coût par bit et permet d’augmenter la capacité mémoire par tranche de silicium. En outre, elle accélère de 50% la vitesse de l’interface et offre des performances de programmation supérieures, ainsi qu’une latence inférieure en lecture.

Cette 5e génération de BiCS FLASH a été développée conjointement par Kioxia et son partenaire technologique et industriel Western Digital. Les nouvelles mémoires seront fabriquées à l’usine Kioxia de Yokkaichi et dans la nouvelle usine de Kitakami.