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Les condensateurs silicium se font tout petits

Les condensateurs silicium se font tout petits

Hébergés dans des boîtiers CMS de seulement 0,4 × 0,2 x 0,185 mm, les derniers condensateurs silicium dévoilés par Rohm se déclinent en versions jusqu’à 1000 pF pour concurrencer les MLCC dans les appareils très compacts.

Rohm fonde de grands espoirs dans les condensateurs silicium dont le Japonais estime qu’ils sont à même de concurrencer de plus en plus les condensateurs céramique multicouches (MLCC, multi-layer ceramic capacitors) dans les appareils où l’espace est très restreint, comme les smartphones, les objets connectés ou les équipements électroniques portés sur soi (wearables).

© Rohm

Il faut dire que les derniers condensateurs silicium du Japonais utilisant une technologie de semiconducteurs à couches minces sont capables de fournir des valeurs de capacité toujours plus élevées dans un facteur de forme plus fin que les MLCC existants, selon Rohm. Les modèles de la série BTD1RVFL se déclinent ainsi en sept modèles avec des valeurs de capacité allant de 100 pF à 1000 pF, alors qu’ils sont logés dans un boîtier CMS 0402 de seulement 0,4 × 0,2 x 0,185 mm.

Qui plus est, des caractéristiques de température stables, ainsi qu’une fiabilité de haut niveau accélèrent l’adoption des condensateurs silicium, selon le Japonais. Les modèles de la série BTD1RVFL s’appuient sur la technologie de miniaturisation propriétaire nommée RASMID (Rohm Advanced Smart Micro Device) qui permet une résolution de gravure de 1 µm et améliore les tolérances dimensionnelles à ± 10 µm. Parallèlement, l’électrode arrière utilisée pour la liaison au substrat a été étendue vers la périphérie du boîtier pour améliorer la solidité du montage.

Capables de fonctionner entre -55°C et +150°C sous 3,6 V, les condensateurs silicium de Rohm disposent d’un élément de suppression des tensions transitoires (TVS) qui garantit une résistance aux décharges électrostatiques plus élevée.

Rohm prévoit de développer une deuxième série de condensateurs silicium en 2024 avec des caractéristiques haute fréquence améliorées afin de cibler les équipements de communication à haut débit, puis, à plus long terme, des modèles dédiés aux serveurs et autres équipements industriels.

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