Les Mosfet SiC de troisième génération de Toshiba désormais disponibles chez Farnell
Les nouveaux Mosfet en carbure de silicium (SiC) de 650 V et 1200 V de Toshiba améliorent le rendement et permettent d’économiser de l’espace dans les solutions d’alimentation pour applications industrielles.
Farnell vient d’ajouter à son catalogue la troisième génération de Mosfet en carbure de silicium (SiC) de Toshiba, dans leurs déclinaisons à 650 V et 1 200 V, afin d’accroître le rendement et la miniaturisation des solutions d’alimentation dans une large plage d’applications exigeantes, notamment les alimentations à découpage (SMPS) et les alimentations sans interruption (UPS) pour les serveurs, les centres de données et les équipements de communication, mais également les onduleurs photovoltaïques et les convertisseurs DC-DC bidirectionnels utilisés pour la recharge des véhicules électriques.
« Nous nous engageons à fournir à nos clients les toutes dernières innovations en matière de semiconducteurs et ces Mosfet SiC de troisième génération de Toshiba, désormais disponibles en stock, offrent un bond technologique significatif par l’un des leaders mondiaux et des plus grands investisseurs dans la technologie d’alimentation discrète », souligne Adrian Cotterill, Product Segment Leader, Transistors & WBG, chez Farnell.
Les Mosfet SiC 650 V de Toshiba référencés TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C et TW107N65C, affichent notamment un facteur de mérite, calculé comme le produit de la résistance drain-source à l’état passant (Rds (on)) par la charge de grille (Qg) pour représenter à la fois les pertes statiques et dynamiques, amélioré d’environ 80 %, pour favoriser le développement de solutions d’alimentation avec des densités de puissance plus élevées et des coûts de fonctionnement plus faibles.
Quant aux Mosfet SiC 1200 V de troisième génération de Toshiba (photo), qui comprennent les modèles TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C et TW140N120C, ils sont logés en boîtier TO-247 standard et sont capables de gérer des courants allant jusqu’à 100 A avec des valeurs Rds (on) aussi basses que 15 mΩ. Ils présentent une plage de tension grille-source maximale allant de -10 V à 25 V et une tension de grille seuil (Vgs(th)) variant de 3,0 V à 5,0 V, pour des performances de commutation avec une dérive minimale et une conception de pilote de grille simple. Selon les modèles, ils offrent des valeurs Rds(on) de 15 mΩ à 140 mΩ (valeur typique, à Vgs =18 V) et des courants de 20 A à 100 A (25°C).
