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Microchip enrichit son offre en composants de puissance RF en GaN
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L’Américain introduit toute une série de composants de puissance RF exploitant sa technologie de nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) et couvrant la gamme de fréquence de 2 à 20 GHz.
Microchip Technology poursuit l’exploitation de sa technologie de nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) avec le lancement de toute une série de composants de puissance RF offrant des performances adaptées à des applications telles que la 5G mais également les communications satellites et militaires, notamment en termes de rendement de puissance ajoutée (PAE, Power-Added Efficiency) et de linéarité. L’ensemble de la nouvelle offre proposée couvre une plage de fréquence allant de 2 à 20 GHz.
Disponibles en volume, ces composants fraîchement commercialisés comprennent des circuits micro-ondes monolithiques (MMIC) couvrant les plages de fréquence de 2 à 18 GHz, de 12 à 20 GHz et de 12 à 20 GHz, avec une puissance de sortie RF pouvant culminer à 20 W avec un rendement de 25 %, mais aussi des amplificateurs RF sous forme de puces nues ou encapsulées, pour la bande S ou X, avec un PAE allant jusqu’à 60 %, ainsi que de transistors à haute mobilité électronique (HEMT) allant du continu jusqu’à à 14 GHz, avec une puissance de sortie maximale de 100 W et un rendement de 70 %.
« Microchip continue d’investir dans sa famille de produits RF à base de GaN pour permettre le développement d’applications à toute fréquence, depuis les micro-ondes jusqu’aux ondes millimétriques. Notre portefeuille de produits comprend ainsi plus de 50 composants, des niveaux de puissance les plus faibles jusqu’à 2,2 kW », souligne Leon Gross, vice-président du département des produits discrets chez Microchip.
Comme tous les produits de puissance RF en GaN de Microchip, ces composants sont fabriqués à partir de la technologie GaN sur SiC, la seule, selon l’Américain, à offrir la meilleure combinaison entre densité de puissance élevée, rendement de haut niveau, fonctionnement haute tension et grande longévité à température élevée (supérieure à 1 million d’heures à une température de jonction de 255 °C).