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Microchip lance des Mosfet SiC 1700 V

Microchip lance des Mosfet SiC 1700 V

Les Mosfet SiC 1700 V constituent une alternative de choix aux IGBT silicium dans les applications de transport et industrielles nécessitant des solutions de conversion d’énergie plus efficaces, plus compactes et plus légères.

Microchip Technology a complété sa gamme de composants et modules de puissance à base de Mosfet en carbure de silicium (SiC) avec des déclinaisons 1700 V. Selon le fabricant, ces solutions robustes à base de Mosfet SiC 1700V constituent une alternative intéressante aux solutions à base d’IGBT silicium dans les applications de transport et industrielles pour lesquelles efficacité, compacité et/ou réduction du poids sont des critères primordiaux, telles que les bornes de recharge, les systèmes d’alimentation auxiliaires, les onduleurs photovoltaïques, les convertisseurs de tension, qui font toutes appel à des dispositifs de puissance à commutation haute tension.

La technologie SiC 1700 V permet ainsi d’éviter les écueils des IGBT silicium qui obligent les concepteurs à faire des compromis sur les performances, et à mettre en œuvre des topologies complexes, compte tenu des limites de fréquence de commutation des solutions silicium liées à leurs pertes. Sans compter que la taille et le poids des systèmes électroniques de puissance en silicium sont pénalisés par les transformateurs dont la taille ne peut être réduite à cause de la limitation en fréquence de commutation des IGBT.

Le SiC 1700 V permet ainsi aux concepteurs d’utiliser des topologies à deux niveaux, avec un nombre de composants réduit, un meilleur rendement et des circuits de commande plus simples, et de concevoir des convertisseurs de puissance dont la taille et le poids peuvent être considérablement réduits compte tenu de la fréquence de commutation très élevée du SiC.

Parmi les autres caractéristiques intéressantes de ses solutions SiC 1700 V, Microchip cite la stabilité de l’oxyde de grille, le fabricant n’ayant observé aucune dérive de tension de seuil, même après 100 000 impulsions lors des tests répétitifs de commutation inductive sans bridage (R-UIS). Ces tests R-UIS ont également montré une très bonne robustesse aux phénomènes d’avalanche ainsi qu’une grande stabilité paramétrique. Le tout concourant à une grande fiabilité de fonctionnement pendant toute la durée de vie de ces solutions.

En outre, Microchip note l’absence de dégradation de la diode intrinsèque, permettant ainsi d’éviter le recours à une diode externe dans le cas du Mosfet SiC. Le fabricant assure par ailleurs que la tenue aux courts-circuits de ses composants et modules SiC 1700 V est comparable à celle des IGBT et que leur courbe de RDS(on) (résistance à l’état passant) s’avère plus plate en fonction de la température de jonction (entre 0°C et 175°C) que celle de certaines autres solution en SiC.

D’ores et déjà disponibles en volume, les composants et modules de puissance SiC 1700 V de Microchip viennent compléter un catalogue de produits SiC déjà riche de familles de Mosfet et de diodes Schottky 700 V et 1 200 V, disponibles en puces nues et sous forme de dispositifs discrets et de modules de puissance.

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