Toshiba Electronics Europe s’appuie sur son expertise technologique dans les procédés de semiconducteurs à large bande interdite (WBG) pour présenter un module MOSFET compact mais doté d’un haut rendement.

Le MG800FXF2YMS3 intègre deux canaux MOSFET au carbure de silicium (SiC), présentant une tension nominale de 3300 V et capables de supporter des courants de 800 A. Les principales applications de ces modules à haute densité de puissance sont notamment les variateurs de vitesse industriels et les commandes moteur, les onduleurs de puissance destinés aux sites de production d’énergie renouvelable, ainsi que les convertisseurs inverseurs utilisés dans les infrastructures ferroviaires électriques.

La technologie de boîtier exclusive de Toshiba est essentielle à l’obtention des performances élevées de ces nouveaux modules MOSFET SiC. Les boîtiers iXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) auxquels font appel ces modules reposent sur une technologie avancée de liaison interne par argent fritté pour obtenir les niveaux de rendement opérationnel atteints. La température des canaux peut atteindre 175°C, tandis que l’isolement est assuré jusqu’à 6000 Veff. Les pertes de commutation à l’allumage et à l’extinction sont limitées à 250 mJ et 240 mJ respectivement, avec une valeur d’inductance parasite typique de 12 nH seulement.

Fabricant : Toshiba

Référence : MG800FXF2YMS3