Qorvo s’offre un spécialiste des composants de puissance SiC
Le fabricant de semiconducteurs américain Qorvo, l’un des principaux fournisseurs de solutions RF, a annoncé l’acquisition de son compatriote United Silicon Carbide (UnitedSiC), basé à Princeton, dans le New Jersey, un fabricant de semiconducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC). Le montant du rachat n’est pas précisé.
L’acquisition de United Silicon Carbide étend les opportunités de Qorvo sur les marchés des véhicules électriques (VE), de l’énergie, de la protection des circuits, des énergies renouvelables et de l’alimentation des centres de données. Le portefeuille de produits de United Silicon Carbide couvre désormais plus de 80 transistors FET SiC, JFET et dispositifs à diode Schottky. United Silicon Carbide fera partie de l’activité Infrastructure & Defence Products (IDP) de Qorvo et sera dirigé par le Chris Dries, qui était auparavant le président et CEO de United Silicon Carbide et qui est maintenant directeur général de la division Power Device Solutions de Qorvo.
« L’ajout de United Silicon Carbide à notre activité IDP élargit considérablement nos opportunités de marché dans les applications haute puissance. Cette acquisition permet à Qorvo de fournir des solutions d’alimentation intelligentes de grande valeur et de premier ordre couvrant les applications de conversion de puissance, de contrôle de mouvement et de protection des circuit », a déclaré Philip Chesley, président de Qorvo IDP (Infrastructure & Defense Products).
Parallèlement, Qorvo publie un chiffre d’affaires de 1255,2 M$ pour son deuxième trimestre fiscal clos le 2 octobre, en hausse 144,8 M$ par rapport au trimestre précédent, pour un bénéfice net de 319,2 M$. L’Américain vise un CA compris entre 1,09 et 1,12 milliard pour le trimestre en cours et une croissance de l’ordre de 15% pour l’ensemble de son exercice fiscal 2022.
