Renesas abandonne le marché des diodes laser et des photodiodes/détecteurs
Le fabricant de semiconducteurs japonais Renesas Electronics annonce sa décision de se retirer des activités LD (diodes laser) et PD (photodiodes/détecteurs) et de fermer son usine de Shiga au Japon, qui fabrique des semiconducteurs composés.
En 2018, Renesas avait déjà programmé la fermeture partielle de son usine de Shiga pour les produits silicium d’ici deux à trois ans. Cependant, suite à la décision de se retirer des activités LD/PD et de fermer la ligne de production de semiconducteurs composés, Renesas prévoit de fermer toutes les lignes de production de l’usine de Shiga dès que possible.
Renesas avait initialement déterminé qu’il serait en mesure d’étendre ses activités LD/PD sur le marché en croissance rapide des communications optiques en arrêtant les produits en silicium et en réduisant les lignes de production et en maintenant et en améliorant la productivité de l’usine de Shiga.
Cependant, au cours des dernières années, la concurrence technologique et la pression sur les prix s’est intensifiée, entraînant une baisse de la part de marché des produits existants et des retards dans le développement de nouveaux produits pour les communications de nouvelle génération. Pour cette raison, Renesas a conclu qu’il serait préférable de jeter l’éponge.
