Rohm muscle sa production interne de composants GaN
En internalisant l’épitaxie GaN grâce à la plateforme G10-GaN de l’Allemand Aixtron, le groupe japonais renforce son contrôle industriel et sa capacité de production en composants GaN. Une stratégie jugée plus efficace pour répondre à la demande croissante des marchés de l’IA et des véhicules électriques.
Après l’acquisition d’une licence de son partenaire de fonderie TSMC pour produire lui-même ses semiconducteurs de puissance à base de GaN, Rohm Semiconductor poursuit la mise en place de cette stratégie de production interne avec la signature d’un accord avec le groupe allemand Aixtron qui fournit désormais au Japonais sa plateforme de dépôt G10-GaN. Cette dernière équipe le site d’Hamamatsu de Rohm, où la montée en cadence de la production de tranches GaN épitaxiées de 8 pouces est en cours pour ses futures générations de composants de puissance 650 V et 100 V.
Cette décision marque une étape importante pour Rohm, qui dépendait jusqu’à présent de fonderies externes, notamment de TSMC, pour la fabrication de ses composants GaN 650 V. En internalisant l’épitaxie GaN, l’entreprise japonaise renforce son contrôle sur une phase clé du processus de production, tout en poursuivant sa stratégie d’intégration verticale.
© Aixtron
Les composants GaN 650 V de la gamme EcoGaN de Rohm sont destinés à des applications à forte croissance, notamment les alimentations pour centres de données dédiés à l’IA, les chargeurs embarqués et les convertisseurs pour véhicules électriques. Les solutions 100 V visent quant à elles les modules de régulation de tension utilisés dans les accélérateurs d’IA et les plateformes de calcul reposant sur les GPU, où rendement énergétique, densité de puissance et maîtrise thermique sont essentiels.
« Le système G10-GaN d’Aixtron représente la combinaison idéale de technologie éprouvée, d’évolutivité et d’approche partenariale dont Rohm a besoin pour être leader sur le marché des dispositifs de puissance GaN », déclare Yasushi Hamazawa, directeur général de Rohm Semiconductor. Il souligne également que la coopération entre les deux entreprises contribuera à optimiser les procédés de fabrication et à répondre aux exigences croissantes des secteurs de l’IA et de l’automobile.
De son côté, Felix Grawert, Pdg d’Aixtron, estime que « la décision de Rohm d’internaliser l’épitaxie GaN sur notre plateforme G10-GaN témoigne d’un tournant majeur dans la manière dont les principaux fabricants de dispositifs sécurisent leurs chaînes d’approvisionnement en semi-conducteurs composés ». Selon lui, cette collaboration favorisera l’adoption plus large de l’électronique de puissance basée sur le GaN.
Au-delà de la fourniture d’équipements, les deux sociétés travaillent conjointement à l’optimisation des procédés industriels et à l’alignement de leurs feuilles de route technologiques. La plateforme G10-GaN est conçue pour la production en volume de couches épitaxiales GaN sur silicium et offre les niveaux d’uniformité, de rendement et de maîtrise des procédés nécessaires à la fabrication de composants à haute tension, faible résistance à l’état passant et forte stabilité thermique, selon Aixtron.
Grâce à cette intégration de l’épitaxie, Rohm améliore son contrôle sur la qualité des plaquettes, les performances de ses dispositifs et la planification de sa production. L’entreprise entend ainsi renforcer sa position sur un marché du GaN en forte expansion. Selon les prévisions citées par les deux partenaires, le marché mondial des dispositifs de puissance GaN pourrait atteindre près de 3 milliards de dollars à l’horizon 2030.
