Samsung débute la production de mémoires V-Nand de 1 Tbit
La huitième génération de mémoires Nand à cellules empilées du Coréen établit ainsi un nouveau record de densité.
Chose promise, chose due. Après l’avoir annoncée cet été lors du Flash Memory Summit, Samsung Electronics a récemment débuté la production de volume de sa huitième génération de mémoires flash V-Nand – nom donné aux mémoires flash Nand à cellules empilées, le “V” faisant référence à l’architecture verticale de ces mémoires.
Et pour ces mémoires, Samsung revendique un record de densité puisqu’il s’agit de puces de 1 Tbit utilisant une architecture dite TLC (Triple-Level Cell) à 3 bits par cellule.
« Nous avons pu réduire l’empreinte et la hauteur de nos mémoires V-Nand tout en s’affranchissant des interférences entre cellules qui interviennent normalement lorsque l’on augmente la densité des mémoires », précise SungHoi Hur, vice-président exécutif de la division produits et technologies flash chez Samsung Electronics.
Basée sur l’interface Toggle DDR 5.0,la huitième génération de flash V-Nand du Coréen se caractérise également par un débit d’entrée-sortie pouvant atteindre 2,4 Gbit/s (20% de mieux que pour la précédente génération), compatible avec les interfaces PCIe 4.0 et les futures PCIe 5.0.
Samsung cible ici les serveurs d’entreprise de nouvelle génération, ainsi que le marché automobile.
