Samsung démarre la production en technologie FinFET 10 nm

Samsung Electronics annonce ce matin avoir démarré la production de masse des premiers circuits de type systèmes-sur-une-puce (SoC) réalisés dans une technologie FinFET 10 nm baptisée 10LPE. Les premiers circuits SoC en technologie 10 nm devraient être intégrés dans des terminaux numériques début 2017.

Cette première mondiale a nécessité, par rapport à la technologie 14 nm, l’adoption d’une structure de transistor 3D avancée, avec des ajustements  tant au niveau du procédé de fabrication que de la conception des circuits SoC.

Par rapport à la génération précédente en 14 nm, Samsung estime que la technologie FinFET 10 nm permet une augmentation des performances de 27% avec une surface réduite de 30%, ou une diminution de 40% de la consommation électrique du circuit à performances et taille équivalentes. Une seconde technologie FinFET 10 nm baptisée 10LPP est prévue avec des performances améliorées pour une introduction en production de volume dans la seconde moitié de 2017.