Samsung lance la première mémoire flash embarquée de 1 To
Samsung Electronics annonce le lancement de la production en série de la première eUFS (embedded Universal Flash Storage) 2.1 de 1 To (téraoctet) du marché destinée à la prochaine génération d’appareils mobiles. Basée sur la cinquième génération de V-NAND de la société, la nouvelle UFS (Universal Flash Storage) offre 20 fois plus de mémoire qu’une mémoire interne de 64 Go. Elle est 10 fois plus rapide qu’une carte microSD conventionnelle pour les applications exigeant un grand volume de données.
Quatre ans seulement après l’avènement de la première solution UFS, l’eUFS de 128 Go (gigaoctets), Samsung franchit le seuil du téraoctet en matière de stockage sur téléphone intelligent.
Les amateurs de téléphones intelligents pourront bientôt profiter d’une capacité de stockage comparable à celle d’un ordinateur portable haut de gamme, sans avoir à insérer de cartes mémoire supplémentaires dans leur téléphone.
« Dès la prochaine génération d’appareils mobiles, l’eUFS de 1 To jouera un rôle crucial en offrant aux utilisateurs une expérience plus proche de celle d’un ordinateur portable », a déclaré Cheol Choi, vice-président directeur Ventes et marketing mémoire chez Samsung Electronics.
Avec la même taille de boîtier (11,5 mm × 13,0 mm), la solution eUFS de 1 To double la capacité de la version précédente de 512 Go. Elle associe un empilement de 16 couches de mémoire flash V-NAND de 512 Gb (gigabits) la plus avancée de Samsung et un contrôleur propriétaire tout récemment mis au point. Les utilisateurs de téléphones intelligents pourront désormais stocker 260 vidéos de 10 min au format 4K UHD (3840 × 2160), alors que l’eUFS de 64 Go très répandu dans les téléphones intelligents haut de gamme actuels peut seulement stocker 13 vidéos similaires.
La vitesse de l’eUFS de 1 To permet aux utilisateurs de transférer de grandes quantités de contenu multimédia en un temps considérablement réduit. Avec 1 000 Mo/s (mégaoctets par seconde), la nouvelle eUFS offre une vitesse de lecture séquentielle double par rapport à celle d’un disque SSD (Solid State Drive) SATA de 2,5 pouces courant. Cela signifie que des vidéos full HD de 5 Go peuvent être déchargées sur un SSD NVMe en 5 s, soit 10 fois plus vite que sur une carte microSD courante. De plus, la vitesse de lecture aléatoire a augmenté de 38 % par rapport à la version de 512 Go, elle atteint 58 000 IOPS. En écriture aléatoire, elle est 500 fois plus rapide qu’une carte microSD haute performance (100 IOPS) et atteint 50 000 IOPS. Ces vitesses aléatoires permettent de filmer à grande vitesse, 960 images par seconde. Elles permettront aussi aux utilisateurs de téléphones intelligents de tirer pleinement parti des modèles de référence à plusieurs appareils photo d’aujourd’hui et de demain.
Samsung prévoit d’augmenter la production de sa 5e génération de V-NAND de 512 Go dans son usine de Pyeongtaek en Corée au cours du premier semestre 2019 pour répondre à la forte demande prévue pour l’eUFS de 1 To par les fabricants d’appareils mobiles.
