SK Hynix échantillonne ses premières mémoires HBM4 à 12 couches
Le Coréen échantillonne le 6è génération des mémoires HBM dédiées au calcul haute performance et à l’IA. Ces mémoires de 36 Go sont capables de gérer jusqu’à 2 To/s de données.
La course au développement des mémoires HBM (High Bandwidth Memory) – ces mémoires à large bande passante et faible latence dédiées aux applications de calcul haute performance (HPC), notamment celles faisant intervenir des algorithmes d’IA – bat son plein. A l’image du Coréen SK Hynix qui vient de débuter l’échantillonnage de ses premières mémoires HBM4 dotées de 12 couches de mémoires Dram. Il s’agit de la 6è génération de mémoires HBM disponibles sur le marché, après les déclinaisons HBM, HBM2, HBM2E, HBM3 et HBM3E.
En avance sur le planning initial, l’échantillonnage des mémoires HBM4 de SK Hynix préfigure le lancement de la production de volume qui interviendra au deuxième semestre 2025, après le processus de certification.
© SK Hynix
Ces mémoires de 36 Go, ce qui constitue la capacité la plus élevée parmi les mémoires HBM à 12 couches, selon le Coréen, sont capables de traiter jusqu’à 2 To/s de données – également une première sur le marché, selon SK Hynix – soit l’équivalent de plus de 400 films Full HD de 5 Go chacun en une seconde. C’est 60% de mieux que les mémoires HBM de précédente génération (HBM3E).
SK Hynix précise par ailleurs avoir adopté le procédé Advanced MR-MUF (Advanced Mass reflow-molded underfill), déjà exploité sur la génération précédente de mémoires HBM, qui permet d’améliorer la stabilité de ces mémoires, notamment en optimisant la dissipation thermique.
Le Coréen revendique d’avoir été le premier fournisseur à produire en volume des mémoires HBM3 en 2022 et HBM3E 8 et 12 couches en 2024.
Rappelons que les mémoires HBM interconnectent verticalement plusieurs puces Dram via la technologie TSV (through silicon via) afin d’améliorer considérablement la vitesse de traitement des données par rapport aux mémoires Dram conventionnelles.
