SK Hynix met un turbo dans ses mémoires LPDDR5
Alors que les mémoires LPDDR5X commencent à peine à se répandre dans les applications mobiles, le Sud-Coréen lance LPDDR5T, une version survitaminée de mémoire Dram à ultra basse consommation, en attendant la future LPDDR6.
Alors que les mémoires LPDDR5X , des versions survitaminées des mémoires Dram à ultra basse consommation de type LPDDR5, commencent à peine à se répandre dans les applications mobiles, SK Hynix a décidé de faire encore mieux en mettant un turbo dans ses nouvelles mémoires LPDDR5.
Baptisées LPDDR5T (“T” pour turbo), ces mémoires peuvent atteindre des débits de données de 9,6 Gbit/s – soit 13% de mieux que la LPDDR5X et ses 8,5 Gbit/s – et fonctionnent sous des tensions très basses, comprises entre 1,01 V et 1,12 V, telles que définies par le Jedec.
SK Hynix affirme avoir déjà livré à certains clients des échantillons de sa LPDDR5T sous forme de modules multipuces 16 Go capables de proposer des vitesses de transfert de 77 Go/s, de quoi transférer en une seconde 15 films en définition Full-HD.
Exploitant un procédé de fabrication 1anm de 4è génération basé sur un nœud de gravure de 10 nm, les mémoires LPDDR5T de SK Hynix devraient être disponibles en volume au second semestre 2023.
Destinées aux smartphones mais aussi aux appareils embarquant de l’intelligence artificielle et de l’apprentissage machine, les mémoires LPDDR5T constituent, selon le Coréen, une étape de transition avant les futures mémoires LPDDR6.
