Soitec va fournir des substrats SmartSiC à X-Fab
Grâce à cet accord signé avec le fondeur, le Grenoblois compte étendre le déploiement de sa technologie SmartSiC sur le marché américain et à l’international, grâce à l’empreinte mondiale de X-Fab.
Soitec et X-Fab viennent de signer un accord selon lequel le premier fournira des tranches de carbure de silicium SmartSiC à l’usine texane du second, en vue d’y fabriquer des puces de puissance SiC. Cet accord fait suite à la finalisation réussie d’une phase d’évaluation, au cours de laquelle des dispositifs de puissance en carbure de silicium ont été fabriqués dans l’usine de X-Fab située à Lubbock à partir de wafers SmartSiC de 150 mm.
© Soitec
« En tant que fonderie leader en matière de SiC, nous souhaitons offrir à nos clients toutes les possibilités de concevoir des dispositifs innovants et robustes en carbure de silicium pour les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les applications industrielles, souligne Sophie Le-Guyadec, vice-présidente en charge de la chaîne d’approvisionnement chez X-Fab. Afin d’offrir les processus et les capacités de fabrication de carbure de silicium les plus avancés, nous avons conjointement convenu de fournir à nos clients un accès facile à la technologie SmartSiC de Soitec via un modèle de consignation. »
« Les substrats SmartSiC de Soitec et les services de fonderie de X-Fab sont parfaitement adaptés pour répondre à la demande croissante de nouveaux produits en SiC, indique, pour sa part, Emmanuel Sabonnadière, vice-président exécutif de Soitec pour la division Automobile et Industrie. Cette coopération est une étape importante pour le déploiement de notre technologie SmartSiC sur le marché américain et à l’international, grâce à l’empreinte mondiale de X-Fab. »
Rappelons que la technologie SmartSiC, dont Soitec a inauguré l’usine en septembre dernier, permet d’améliorer les performances des dispositifs d’électronique de puissance et d’augmenter les rendements de fabrication. Basée sur le procédé SmartCut, elle consiste à coller une très fine couche de SiC monocristallin (mono-SiC) de haute qualité sur une plaquette de polySiC à très faible résistivité. Le procédé permet de réutiliser plusieurs fois une seule plaquette donneuse, ce qui réduit significativement les coûts et les émissions de CO2 qui en découlent.
Parallèlement à l’accord avec X-Fab, Soitec vient d’ailleurs d’en signer un autre avec Tokai Carbon afin que le Japonais fournisse au Grenoblois des substrats polySiC de 150 et 200 mm de diamètre compatibles avec la technologie SmartSiC de Soitec, afin d’assurer la montée en puissance de cette dernière.
