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ST détaille, site par site, son plan pour remodeler son empreinte industrielle

ST détaille, site par site, son plan pour remodeler son empreinte industrielle

Le groupe franco-italien donne des détails sur l’avenir de ses différents sites de production dans le cadre de son projet sur trois ans pour remodeler son empreinte industrielle et redimensionner sa base de coûts globale. ST précise que ce projet pourra conduire à la suppression de 2800 emplois sur la base de départs volontaires.

Dans un communiqué publié ce jour, STMicroelectronics a présenté, site par site, les détails de son projet de remodelage de son empreinte industrielle et de redimensionnement de sa base de coûts globale, projet qui avait été annoncé dans les grandes lignes en octobre dernier. Ce projet, qui prévoit de réaliser des économies de coûts annuelles en millions de dollars dans le haut de la fourchette à trois chiffres à la fin 2027, est censé renforcer la compétitivité du groupe, consolider sa position de ténor européen et mondial des semiconducteurs et assurer la pérennité à long terme de son modèle de fabricant intégré de composants (Integrated Device Manufacturer), en tirant partie de ses actifs stratégiques dans le monde en matière de R&D, de conception et de production en grands volumes.

« En nous concentrant sur des infrastructures de fabrication de pointe et sur les technologies mainstream, nous continuerons à tirer parti de tous nos sites existants, avec des missions redéfinies pour certains d’entre eux afin de soutenir leurs succès à long terme, déclare, en préambule, Jean-Marc Chéry, Pdg de STMicroelectronics. Nous nous engageons à gérer ce projet de manière responsable, selon nos valeurs établies de longue date, et exclusivement via des mesures sur la base du volontariat. Les activités de R&D, de conception et de fabrication en grands volumes en Italie et en France continueront d’être au centre de nos opérations mondiales et seront renforcées avec des investissements prévus dans des technologies mainstream. »

© STMicroelectronics

Le projet de ST consiste, premièrement, à prioriser les investissements prévus vers des infrastructures prêtes pour l’avenir, telles que les lignes de production de tranches de silicium de 300 mm de diamètre et de carbure de silicium de 200 mm, pour leur permettre d’atteindre une taille critique, et, deuxièmement, à optimiser la productivité et l’efficacité des capacités historiques en 150 mm et matures en 200 mm. En parallèle, des investissements seront consentis par le groupe pour mettre à niveau la technologie utilisée dans ses opérations, en déployant davantage l’IA et l’automatisation pour une efficacité améliorée, que ce soit dans la R&D, la fabrication ou les processus de fiabilité et de qualification, avec une attention continue sur la durabilité.

Sur les trois prochaines années, le remodelage de l’empreinte industrielle de ST permettra de concevoir et de renforcer les écosystèmes complémentaires du groupe en France autour des technologies numériques, en Italie autour des technologies analogiques et de puissance, et à Singapour pour ce qui concerne les technologies matures.

La direction du groupe confirme la construction de méga-fabs pour le silicium en 300 mm à Agrate (Italie) et Crolles (Isère). La ligne de production d’Agrate continuera sa montée en puissance, avec pour objectif de devenir l’unité phare de ST pour la production en grands volumes des technologies de puissance et à signaux mixtes. Le plan prévoit un doublement de sa capacité actuelle à 4000 tranches par semaine d’ici 2027, avec des extensions modulaires possibles afin d’augmenter sa capacité jusqu’à 14 000 tranches par semaine, en fonction des conditions de marché. Quant à la ligne de production d’Agrate en 200 mm, elle se recentrera sur les Mems.

© STMicroelectronics

La ligne de production en 300 mm de Crolles se verra confortée en tant que cœur de l’écosystème de solutions numériques de ST. Il est prévu d’augmenter la capacité de production à 14 000 tranches par semaine d’ici 2027, avec, là encore, des possibilités d’extensions modulaires qui permettront d’augmenter la capacité jusqu’à 20 000 tranches par semaine, en fonction des conditions de marché. Par ailleurs, la ligne de production de Crolles en 200 mm sera convertie pour soutenir l’étape de production EWS (Electrical Wafer Sort – tri électrique des tranches) en grands volumes et les technologies d’encapsulation avancées, en accueillant des activités qui n’existent pas aujourd’hui en Europe. L’accent sera également mis sur les technologies de pointe de nouvelle génération, notamment la détection optique et la photonique sur silicium.

Le site de Catane, en Italie, continuera en tant que centre d’excellence pour les semiconducteurs de puissance et à grand gap. ST précise que le développement du nouveau campus pour le carbure de silicium (SiC) progresse selon le planning prévu, avec le début de la production de tranches de 200 mm prévu au quatrième trimestre 2025. Par ailleurs, les ressources soutenant les capacités actuelles de Catane en 150 mm et d’EWS seront recentrées vers la production de semiconducteurs de puissance en carbure de silicium et en silicium en tranches de 200 mm, y compris le GaN sur silicium.

Pour ce qui est du site de Rousset (Bouches-du-Rhône), il restera concentré sur la fabrication de tranches de 200 mm, avec des volumes additionnels réalloués depuis d’autres sites, permettant d’assurer la pleine saturation de sa capacité de fabrication existante.

© STMicroelectronics

Le site de Tours (Indre-et-Loire) restera, pour sa part, focalisé sur sa ligne de production de tranches de silicium de 200 mm pour des technologies spécifiques, tandis que d’autres activités – y compris les activités de fabrication historiques en 150 mm – seront transférées vers différents sites de ST. Le site de Tours restera également un centre de compétences pour le GaN, principalement sur l’épitaxie. Il accueillera également une nouvelle activité de “panel-level-packaging”, l’un des éléments qui permettront le développement des chiplets, ces composants qui offrent une alternative aux puces monolithiques en exploitant plusieurs puces plus petites interconnectées entre elles et encapsulées dans un seul et même boîtier, et ciblent les applications complexes.

Destiné à la production en grands volumes des technologies matures, le site singapourien Ang Mo Kio restera focalisé sur la fabrication de tranches de silicium de 200 mm et accueillera également les capacités historiques consolidées du groupe en tranches de silicium de 150 mm.

Enfin, la ligne d’assemblage et de test en grands volumes de ST basée à Kirkop (Malte) sera modernisée avec l’ajout de technologies d’automatisation avancées qui seront clés pour soutenir les produits de nouvelle génération.

Ce remodelage de l’empreinte industrielle de ST au cours des trois prochaines années va entraîner, à la fois, une baisse des effectifs mondiaux et une évolution des compétences requises. « Les opérations de production de pointe entraineront une évolution des tâches manuelles répétitives issues de processus anciens vers des rôles davantage axés sur le contrôle des processus, l’automatisation et la conception, précise la direction de ST. Cette transition sera menée sur la base du volontariat, avec un engagement continu pour un dialogue constructif et des négociations avec les représentants du personnel, conformément aux réglementations nationales en vigueur. »

Selon les projections actuelles de ST, le projet pourrait entraîner le départ de jusqu’à 2800 personnes de l’entreprise à l’échelle mondiale, sur la base du volontariat, en plus de l’attrition naturelle. Ces changements devraient intervenir principalement en 2026 et 2027.

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