Innoscience signe un accord de distribution avec Richardson RFPD
Cette filiale d’Arrow Electronics distribuera à l’échelle mondiale les solutions du fabricant chinois à base de nitrure de gallium sur silicium.
Étiquette : Innoscience
Innoscience abaisse encore la résistance de ses transistors GaN 650 V
Le Chinois lance l’INN650D080BS, le transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en nitrure de gallium de 650 V affichant la résistance drain-source à l’état passant la plus faible de son catalogue, avec 80 mΩ.
Innoscience enrichit sa gamme de transistors HEMT 650 V en technologie GaN-on-Si
Le Chinois enrichit sa gamme InnoGaN de transistors à haute mobilité électronique de 650 V avec des modèles affichant des résistances drain-source à l’état passant de 190, 350 ou 600 mΩ.
Circuits de puissance GaN-on-Si : Innoscience ouvre un centre européen de R&D à Louvain
Le Chinois Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance GaN-on-Si (nitrure de gallium sur silicium) à hautes performances et à faible coût, étend sa présence en Europe avec l’ouverture d’un centre de R&D à Louvain, en Belgique.
Innoscience se lance dans les alimentations basées sur ses HEMT GaN-on-Si
Spécialiste du nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) sur tranches de 200 mm, Innoscience a décidé de lancer ses propres alimentations de 140 W à forte densité de puissance et haut rendement, intégrant ses transistors à haute mobilité électronique fabriqués selon ce procédé.
LE TEMPS DE L’ANALYSE
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