Brevets sur le GaN : Innoscience dément vigoureusement les accusations d’Infineon
Après le dépôt de plainte la semaine dernière d’Infineon à l’encontre d’Innoscience pour violation d’un brevet sur le GaN, ce dernier a répondu vigoureusement et nié les accusations de contrefaçon de brevet du fabricant allemand.
Litige entre Infineon et Innoscience à propos d’un brevet sur le GaN, acte II. Par l’intermédiaire de sa filiale autrichienne, Infineon Technologies a déposé la semaine dernière une plainte devant un tribunal californien à l’encontre de la société chinoise Innoscience Technology et de sa filiale américaine Innoscience America pour violation d’un brevet américain relatif à la technologie GaN et appartenant au groupe allemand.
Dans un communiqué publié ce jour, Innoscience a réagi vigoureusement à la plainte du groupe allemand, dénonçant fermement les accusations portées par Infineon Technologies Austria dans le cadre de ce litige. « Innoscience nie les allégations de contrefaçon de brevet d’Infineon ainsi que la validité du brevet d’Infineon. Innoscience se défendra vigoureusement et est convaincue qu’elle l’emportera », précise le communiqué.
© Innoscience
Le fabricant chinois va même plus loin, remettant en cause l’intention d’Infineon. « L’intention d’Infineon dans ce litige est également remise en question, car elle a fait valoir un brevet présentant des défauts importants. En particulier, même un examen superficiel du portefeuille de brevets d’Infineon révèle que la prétendue « invention » du brevet revendiqué était déjà divulguée dans les propres brevets antérieurs d’Infineon, ce qui soulève des inquiétudes quant à la possible fraude à l’Office des brevets et des marques déposées des États-Unis, comme par exemple de ne pas avoir fait les divulgations appropriées au cours de la dépose du brevet défectueux en question », avance Innoscience.
Le Chinois estime par ailleurs que, « contrairement à la caractérisation erronée d’Infineon selon laquelle les revendications du brevet défectueux revendiqué « couvrent des aspects essentiels des semi-conducteurs de puissance GaN », le procès ne concerne qu’une petite fraction des transistors GaN haute tension (650 V – 700 V) mis en boîtiers par Innoscience et n’affecte pas la grande majorité de ses autres produits (y compris les transistors et plaquettes sans boîtier, les transistors basse tension et certains transistors en boîtier). Par conséquent, le procès ne devrait avoir que peu ou pas d’effet sur la capacité actuelle d’Innoscience à fabriquer, utiliser, vendre ou importer aux États-Unis ses produits pour ses clients. »
Affirmant « respecter les droits de propriété intellectuelle valides des autres et se consacrer également au développement de son propre portefeuille de propriété intellectuelle », Innoscience termine son argumentaire en précisant que, « bien qu’elle soit une entreprise créée il y a huit ans seulement, elle a déposé plus de 800 demandes de brevet dans le monde grâce à une équipe de R&D comptant plus de 500 experts techniques ».
Rendez-vous pour l’acte III du litige devant la justice californienne.
