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Étiquette : Kyoto

Photodiode InGaAs avec bande passante de 40 GHz | Kyoto Semiconductor

Le Japonais Kyoto Semiconductor a développé la photodiode à haute vitesse KP-H KPDEH12L-CC1C pour soutenir les systèmes de transmission de 400 Gb/s qui utilisent PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4) au sein et entre les centres de données. Grâce au lancement de cette photodiode InGaAs, la société prend en charge de manière continue les besoins en vitesses et capacités accrues des systèmes de transmission dans les réseaux 5G et au-delà. La production de masse commencera en novembre 2020.

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