Le Japonais Kyoto Semiconductor a développé la photodiode à haute vitesse KP-H KPDEH12L-CC1C pour soutenir les systèmes de transmission de 400 Gb/s qui utilisent PAM4 (Pulse Amplitude Modulation 4) au sein et entre les centres de données. Grâce au lancement de cette photodiode InGaAs, la société prend en charge de manière continue les besoins en vitesses et capacités accrues des systèmes de transmission dans les réseaux 5G et au-delà. La production de masse commencera en novembre 2020.

La taille du porteur sur lequel la photodiode est montée ainsi que la largeur et la longueur du modèle d’électrode à haute fréquence placé sur le porteur sont optimisées en utilisant une simulation électromagnétique. Par conséquent, elle atteint une vitesse de transmission de 400 Gb/s et une bande de fréquences de 40 GHz, grâce à un amplificateur de transimpédance intégré. La photodiode KP-H a réussi le test Telcordia GR-468-Core, qui constitue le test de fiabilité standard en matière d’équipements de communication.

La photodiode KPDEH12L-CC1C est montée sur un porteur qui a été conçu de manière optimale pour atteindre une fréquence élevée. Une lentille de condenseur est intégrée à l’arrière de la photodiode, ce qui permet à la lumière entrante de s’accumuler dans la zone d’absorption de la lumière, et facilite l’alignement de la fibre optique avec la photodiode. La puce de la photodiode est montée sur un porteur deux fois plus gros que la puce.

Actuellement, Kyoto Semiconductor a atteint principalement des vitesses de transmission de 100 Gb/s en couplant 4 lignes de 25 Gb/s. Néanmoins, il existe une demande croissante sur le marché de vitesses de transmission comprises entre 400 Gb/s et 800 Gb/s. L’Institut des ingénieurs en électricité et en électronique (IEEE) a établi la norme PAM4, qui correspond à une modulation avec un signal 4 bits. La vitesse de transmission par photodiode atteint 50 Gb/s (=400 Gb/s/4 lignes/2 (PAM4)). La bande de transmission nécessaire pour que la photodiode puisse atteindre cette vitesse sera comprise entre 35 et 40 GHz.

Fabricant : Kyoto Semiconductor

Référence : KPDEH12L-CC1C