Logés dans un boîtier CMS de type DFN de seulement 0,63 x 0,33 x 0,25 mm, les derniers Mosfet de Nexperia présentent un encombrement réduit de 13% par rapport aux précédents modèles les plus compacts du marché.
Avec ses modèles SPICE G2, Toshiba Electronics a misé sur la précision de simulation des caractéristiques transitoires des composants discrets de puissance, en réponse à une demande particulièrement forte dans le domaine de l’automobile.
Diodes est l’inventeur d’un boîtier compact pour transistors de puissance, qui optimise la dissipation thermique et permet de gérer des courants allant jusqu’à 460 A avec une densité de puissance huit fois supérieure à celle d’un boîtier TO263.
Exclusivement dédiés aux airbags, les Mosfet de la série BUK9M20-60EL utilisent des boîtiers plus compacts et une technologie plus récente et plus pérenne que les Mosfet généralement en usage dans cette application.
Les derniers nés des Mosfet et diodes en SiC de la gamme CoolSic de l’Allemand simplifient la réalisation de solutions à haute densité de puissance dans les applications fonctionnant à 1500 Vdc.
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