Le nouveau boîtier L-TOGL utilisé par le Japonais permet à ses Mosfet de puissance canal N de 40V de supporter un courant de drain jusqu’à 200 A pour le modèle référencé XPQ1R004PB et jusqu’à 400 A pour le XPQR3004PB.
La société a profité du CES de Las Vegas pour dévoiler EliteSiC, une gamme de Mosfet et de diodes Schottky 1700 V à haut rendement dédiés aux infrastructures énergétiques et aux systèmes d’entraînement industriels.
Les derniers Mosfet pour applications spécifiques de la société sont optimisés pour le remplacement à chaud des cartes électroniques dans les serveurs de centres de données et les équipements télécoms.
L’Américain a réservé à Electronica la primeur du lancement de sa 6è génération de FET de sa gamme eGaN, avec un premier modèle de 80 V dont la densité de puissance est doublée par rapport à celle de son prédécesseur.
Grands frères des modèles 650 V lancés il y a seulement quelques jours, les Mosfet SiC 1200 V du Japonais se déclinent eux aussi en cinq modèles différents.
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