Les Mosfet SiC de Toshiba adoptent une connexion Kelvin pour réduire leurs pertes

Disposant d’une connexion Kelvin, les boîtiers TO-247-4L(X) à quatre broches dans lesquels sont logés les derniers Mosfet SiC 650 V et 1200 V du Japonais permettent de réduire les pertes par rapport aux versions en boîtier standard à trois broches.

Toshiba a débuté la production de volume d’une série de dix Mosfet en carbure de silicium (cinq déclinés en 650 V et cinq autres en 1200 V) de troisième génération logés pour la première fois dans des boîtiers de type TO-247-4L(X) à quatre broches.

Cette gamme de Mosfet SiC référencée TWxxxZxxxC bénéficie de ce fait d’une quatrième broche de détection Kelvin qui peut être connectée à la source du Mosfet pour réduire l’effet de l’inductance parasite à l’intérieur du boîtier, et ainsi améliorer les performances de commutation à grande vitesse.

© Toshiba

Ce faisant, le modèle estampillé TW045Z120C affiche par exemple une perte réduite d’environ 40% au passage à l’état passant et de 34 % au passage à l’état bloqué, par rapport au TW045N120C, l’équivalent actuel de Toshiba logé en boîtier TO-247 standard à trois broches.

Les nouveaux Mosfet SiC du Japonais se caractérisent par ailleurs par une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) typique allant de 15 à 140 mΩ selon les modèles.

A noter que Toshiba met à disposition une conception de référence pour un onduleur triphasé utilisant des Mosfet SiC en cliquant sur ce lien.