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Les Mosfet SiC de Toshiba adoptent une connexion Kelvin pour réduire leurs pertes

Les Mosfet SiC de Toshiba adoptent une connexion Kelvin pour réduire leurs pertes

Disposant d’une connexion Kelvin, les boîtiers TO-247-4L(X) à quatre broches dans lesquels sont logés les derniers Mosfet SiC 650 V et 1200 V du Japonais permettent de réduire les pertes par rapport aux versions en boîtier standard à trois broches.

Toshiba a débuté la production de volume d’une série de dix Mosfet en carbure de silicium (cinq déclinés en 650 V et cinq autres en 1200 V) de troisième génération logés pour la première fois dans des boîtiers de type TO-247-4L(X) à quatre broches.

Cette gamme de Mosfet SiC référencée TWxxxZxxxC bénéficie de ce fait d’une quatrième broche de détection Kelvin qui peut être connectée à la source du Mosfet pour réduire l’effet de l’inductance parasite à l’intérieur du boîtier, et ainsi améliorer les performances de commutation à grande vitesse.

© Toshiba

Ce faisant, le modèle estampillé TW045Z120C affiche par exemple une perte réduite d’environ 40% au passage à l’état passant et de 34 % au passage à l’état bloqué, par rapport au TW045N120C, l’équivalent actuel de Toshiba logé en boîtier TO-247 standard à trois broches.

Les nouveaux Mosfet SiC du Japonais se caractérisent par ailleurs par une résistance drain-source à l’état passant (Rds(on)) typique allant de 15 à 140 mΩ selon les modèles.

A noter que Toshiba met à disposition une conception de référence pour un onduleur triphasé utilisant des Mosfet SiC en cliquant sur ce lien.

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