Les diodes de protection ESD s’adaptent aux interfaces à plus de 10 Gbit/s
Rohm franchit un verrou technique qui freinait jusqu’ici la protection ESD des communications à grande vitesse avec des diodes capables de protéger les interfaces au-delà de 10 Gbit/s sans dégrader le signal.
Rohm Semiconductor annonce le lancement de la série RESDxVx, des diodes de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) conçues pour répondre aux exigences des interfaces de communication à très haut débit dépassant les 10 Gbit/s. Ces composants s’attaquent à un problème longtemps considéré comme insoluble : concilier une capacitance parasite minimale, indispensable pour préserver l’intégrité du signal à haute fréquence, et une résistance dynamique faible, garante d’une protection efficace des circuits intégrés sensibles.
© Rohm Semiconductor
Dans les systèmes de transmission de données de nouvelle génération, même une capacitance parasite infime suffit à déformer les formes d’ondes du signal. Or, réduire cette capacitance se faisait jusqu’ici au détriment de la résistance dynamique, fragilisant la protection des circuits intégrés. Rohm a contourné ce dilemme avec la série RESDxVx, qui affiche une capacitance aux bornes de seulement 0,24 pF en configuration bidirectionnelle et 0,48 pF en unidirectionnelle, associée à une résistance dynamique de 0,28 Ω. Il en résulte une tension de blocage inférieure d’environ 40% à celle des produits conventionnels, soit un niveau de protection nettement supérieur pour les circuits intégrés délicats.
Ces performances ouvrent la voie à une utilisation dans un spectre d’applications très étendu. Du côté des infrastructures, les serveurs d’IA et les stations de base 5G/6G figurent parmi les cibles prioritaires. Les appareils grand public (PC portables, consoles de jeux, etc.) sont également concernés. Sur le segment automobile, les références RESDxVxBASAFH et RESDxVxUASAFH, logées dans un boîtier DFN1006-2W et certifiées AEC-Q101, sont particulièrement adaptées aux caméras pour systèmes ADAS, à la conduite autonome et aux unités de contrôle électronique (ECU) utilisant la communication SerDes.
Principales caractéristiques :
- Capacitance de 0,24 pF (bidirectionnelle) et 0,48 pF (unidirectionnelle), parmi les plus faibles du marché
- Résistance dynamique (Rdyn) de seulement 0,28 Ω
- Tension de blocage réduite d’environ 40% par rapport aux produits conventionnels
- Compatible avec les interfaces de communication dépassant 10 Gbit/s
- Préservation de l’intégrité du signal à haute fréquence
- Protection renforcée des circuits intégrés sensibles aux surtensions
- Boîtier compact DFN1006-2W
- Certification AEC-Q101 pour les applications automobiles (références BASAFH et UASAFH)
- Adapté aux environnements industriels exigeants (serveurs IA, stations de base 5G/6G)
- Convient aux applications grand public (PC portables, consoles de jeux) et embarquées (ADAS, ECU SerDes)
