Les Mosfet SiC de Toshiba grimpent à 2200 V pour les onduleurs à deux niveaux
Le module 2200 V à double Mosfet SiC signé Toshiba permet de troquer les onduleurs à trois niveaux à base d’IGBT contre des topologies à deux niveaux plus compactes et plus légères dans le photovoltaïque, l’automobile et le stockage d’énergie.
Toshiba Electronics complète sa gamme de transistors de puissance en carbure de silicium avec des modules à double Mosfet SiC 2200 V. Dans les applications à 1500 V telles que les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de véhicules électriques, les convertisseurs DC/DC haute fréquence et les systèmes de stockage d’énergie, ce module à diode Shottky intégrée référencé MG250YD2YMS3, permet, grâce à sa tension élevée, de remplacer les topologies à trois niveaux à base d’IGBT par des topologies à deux niveaux plus simples, plus compactes et plus légères, pour un fonctionnement à plus haute fréquence et avec une perte de puissance inférieure.
Toshiba évoque le double de la fréquence d’un IGBT conventionnel et une réduction des pertes de 37% lorsqu’on compare un onduleur SiC à deux niveaux à un onduleur silicium à trois niveaux.
©Toshiba Electronics
Le MG250YD2YMS3 est capable de supporter un courant de drain de 250 A en continu et de 500 A en régime impulsionnel et affiche une tension d’isolation de 4000 Veff et une température maximale de fonctionnement de 150ºC. Il présente une faible perte de conduction avec une tension drain-source typique de 0,7 V, tandis que ses pertes de commutation sont réduites à 14 mJ à l’activation et 11 mJ à la désactivation, réduisant du même coup les besoins en gestion thermique.
Les livraisons du nouveau module débutent ce mois-ci.
